發(fā)布時(shí)間：2018-03-05 00:02

  本文選題：探測器　切入點(diǎn)：太赫茲　出處：《微納電子技術(shù)》2017年11期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：提出了一種基于硅透鏡集成的高靈敏度GaN/AlGaN高電子遷移率晶體管(HEMT)的太赫茲模組探測器。在太赫茲波輻照下,超半球硅透鏡可以有效提高太赫茲波收集效率和消除被測器件的襯底干涉效應(yīng),進(jìn)而提高探測器的靈敏度。對(duì)集成有直徑為6 mm超半球硅透鏡的太赫茲探測器件進(jìn)行了仿真和測試。研究發(fā)現(xiàn)在頻率為600和900 GHz的太赫茲波輻照下,硅透鏡中心區(qū)域的太赫茲電場分別增加到原來的5.9倍和6.8倍。在300 K下器件的響應(yīng)度和噪聲等效功率分別為4.5 kV/W和30 pW/Hz0.5,在77 K下器件的響應(yīng)度達(dá)到100 kV/W,噪聲等效功率降至1 pW/Hz0.5。
[Abstract]:A high sensitivity GaN/AlGaN integration based on high electron mobility transistor silicon lens (HEMT) is proposed. In the terahertz detector module of terahertz wave irradiation, silicon hyper hemispherical lens can effectively improve the collection efficiency of terahertz wave and eliminate the substrate of the device under test interference effect, and improve the sensitivity of the detector. A 6 THz detector mm the piece of silicon hemisphere lens diameter on the integrated simulation and test. The study found that the frequency of THz wave irradiation in 600 and 900 GHz, THz field silicon lens center area were increased to 5.9 times and 6.8 times. The original device at 300 K responsivity and noise equivalent power of 4.5 kV/W and 30 pW/Hz0.5 devices under 77 K response up to 100 kV/W, the noise equivalent power to 1 pW/Hz0.5.

【作者單位】： 蘇州科技大學(xué)電子與信息工程學(xué)院;中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所納米器件與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61401297,61401456) 江蘇省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(BK20140283) 中國科學(xué)院納米器件與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室開放課題資助項(xiàng)目(14ZS05)
【分類號(hào)】：O441.4;TN386

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