半導(dǎo)體表面薄膜的有效量子限制長(zhǎng)度和極化子研究
本文關(guān)鍵詞: 有效量子限制長(zhǎng)度 分?jǐn)?shù)維方法 極化子 GaAs薄膜 出處:《北京師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版)》2017年04期 論文類型:期刊論文
【摘要】:采用提出的等效方法,確定Al_xGa_(1-x)As襯底上GaAs表面薄膜的量子限制長(zhǎng)度,在此基礎(chǔ)上確定了GaAs薄膜的分?jǐn)?shù)維,進(jìn)一步利用分?jǐn)?shù)維方法研究了Al_xGa_(1-x)As襯底上GaAs表面薄膜中的極化子特性.
[Abstract]:The quantum limiting length of GaAs surface film on Al_xGa_(1-x)As substrate is determined by using the proposed equivalent method, and the fractal dimension of GaAs film is determined. The polaron characteristics of GaAs surface film on Al_xGa_(1-x)As substrate are further studied by using the fractal dimension method.
【作者單位】: 裝甲兵工程學(xué)院基礎(chǔ)部;北京師范大學(xué)物理學(xué)系;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(10574011,10974017)
【分類號(hào)】:O47
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本文編號(hào):1552109
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