本文關鍵詞：多晶硅薄膜電學輸運理論的研究進展　出處：《中山大學學報(自然科學版)》2017年04期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 多晶硅薄膜 晶界 界面態(tài) 電學性質(zhì)

【摘要】：多晶硅薄膜已廣泛應用于平板顯示、微機電系統(tǒng)和集成電路等領域,在太陽電池和平板系統(tǒng)領域也有著巨大的應用前景。由于多晶硅薄膜存在晶界,晶界內(nèi)的晶體缺陷和懸掛鍵會向帶隙中引入界面態(tài),界面態(tài)一方面會束縛載流子并形成勢壘阻礙載流子的傳輸,另一方面會作為有效復合中心加重載流子的復合,因此,多晶硅薄膜上制備的器件的性能要低于與之對應的單晶硅薄膜器件的性能。為了從理論上闡明暗場和光照條件下多晶硅薄膜的電學性質(zhì),人們已發(fā)展了各種理論模型。此外,為了確定晶界界面態(tài)在帶隙中的分布,人們已發(fā)展出分析法和計算機模擬兩種方法。本文將簡要概述人們在多晶硅薄膜電學輸運理論和晶界界面態(tài)分布確定方法等方面的主要研究進展,以期對從事多晶硅薄膜或多晶半導體輸運性質(zhì)研究的科研工作者有所參考和啟發(fā)。
[Abstract]:Polycrystalline silicon thin films have been widely used in the fields of flat panel display, micro electromechanical systems and integrated circuits, and also have great application prospects in solar cells and flat panel systems, due to the existence of grain boundaries of polysilicon thin films. The crystal defects and hanging bonds in the grain boundaries introduce interfacial states into the band gap. On the one hand, the interfacial states will bind the carriers and form barriers to block the carrier transport. On the other hand, it will serve as an effective recombination center to accentuate the carrier recombination, thus. The properties of the devices fabricated on the polycrystalline silicon thin films are lower than those of the corresponding monocrystalline silicon thin film devices. In order to clarify the electrical properties of the polycrystalline silicon films under dark field and illumination conditions theoretically. Various theoretical models have been developed. In addition, in order to determine the distribution of grain boundary interface states in the band gap. Two methods, analytical method and computer simulation method, have been developed. In this paper, the main research progress in the field of electrical transport theory of polycrystalline silicon thin films and the determination of interfacial distribution at grain boundaries are briefly reviewed. In order to provide reference and inspiration for researchers engaged in the study of the transport properties of polycrystalline silicon thin films or polycrystalline semiconductors.
【作者單位】： 中山大學物理學院;廣東省光伏技術(shù)重點實驗室;中山大學材料科學與工程學院;
【基金】：廣東省科技計劃項目(2011A032304001,2013B010405011)
【分類號】：O484.42
【正文快照】： 由于可以在多種襯底上大面積制備器件級多晶硅薄膜,而且能夠制成高質(zhì)量n溝道或p溝道薄膜晶體管(TFTs),所以多晶硅薄膜在平板顯示(FPDs)、微機電系統(tǒng)(MEMS)和集成電路(ICs)等領域已獲得了廣泛的應用[1-5],此外,多晶硅薄膜在太陽電池和平板系統(tǒng)(SOP:system onpanel)等領域也有著

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本文編號：1427519