發(fā)布時(shí)間：2018-01-11 13:25

  本文關(guān)鍵詞：P-N結(jié)型耗盡溝道的勢(shì)壘高度解析模型　出處：《科學(xué)通報(bào)》2017年Z2期 　論文類(lèi)型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： P-N結(jié) 耗盡溝道 勢(shì)壘模型 泊松方程 解析表達(dá)式

【摘要】：P-N結(jié)型耗盡溝道的電流輸運(yùn)取決于溝道中的勢(shì)壘高度,本文構(gòu)建了溝道勢(shì)壘模型,基于器件物理分析給出了勢(shì)壘高度的解析表達(dá)式.該模型對(duì)溝道內(nèi)和溝道外耗盡區(qū)的邊界條件做了合理的假設(shè)和分析,通過(guò)求解泊松方程獲得上述兩個(gè)區(qū)域的電勢(shì)分布,將這兩個(gè)區(qū)域的電勢(shì)分布綜合起來(lái)推導(dǎo)出了勢(shì)壘高度的解析表達(dá)式.該表達(dá)式較為完整地反映了勢(shì)壘高度與器件材料參數(shù)、結(jié)構(gòu)參數(shù)及外加偏壓的關(guān)系.將解析模型與數(shù)值模擬結(jié)果做了比較,兩者吻合很好.該模型的構(gòu)建對(duì)于分析具有P-N結(jié)型耗盡溝道的半導(dǎo)體器件有重要意義.
[Abstract]:The current transport of P-N junction depletion channel depends on the barrier height in the channel. In this paper, the channel barrier model is constructed. The analytical expression of the barrier height is given based on the device physical analysis. The model makes reasonable assumptions and analyses for the boundary conditions of the depletion region in and out of the channel. The potential distribution of the above two regions is obtained by solving Poisson equation. The analytical expression of barrier height is derived by synthesizing the potential distribution of these two regions, which completely reflects the barrier height and device material parameters. The relationship between the structural parameters and the applied bias voltage. The analytical model is in good agreement with the numerical simulation results. The construction of the model is of great significance for the analysis of semiconductor devices with P-N junction depletion channels.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子研究所;
【分類(lèi)號(hào)】：O475
【正文快照】： P-N結(jié)的正反偏性質(zhì)在雙極結(jié)型晶體管(bipolarjunction transistor,BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(field-effecttransistor,FET)中得到了很大應(yīng)用.其中,BJT和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(mental-insulator-semi-conductor FET,MISFET)利用了P-N結(jié)耗盡層的關(guān)斷作用:BJT是利用P-N結(jié)正偏

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本文編號(hào)：1409709