本文關(guān)鍵詞：P-N結(jié)型耗盡溝道的勢壘高度解析模型　出處：《科學(xué)通報》2017年Z2期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： P-N結(jié) 耗盡溝道 勢壘模型 泊松方程 解析表達(dá)式

【摘要】：P-N結(jié)型耗盡溝道的電流輸運(yùn)取決于溝道中的勢壘高度,本文構(gòu)建了溝道勢壘模型,基于器件物理分析給出了勢壘高度的解析表達(dá)式.該模型對溝道內(nèi)和溝道外耗盡區(qū)的邊界條件做了合理的假設(shè)和分析,通過求解泊松方程獲得上述兩個區(qū)域的電勢分布,將這兩個區(qū)域的電勢分布綜合起來推導(dǎo)出了勢壘高度的解析表達(dá)式.該表達(dá)式較為完整地反映了勢壘高度與器件材料參數(shù)、結(jié)構(gòu)參數(shù)及外加偏壓的關(guān)系.將解析模型與數(shù)值模擬結(jié)果做了比較,兩者吻合很好.該模型的構(gòu)建對于分析具有P-N結(jié)型耗盡溝道的半導(dǎo)體器件有重要意義.
[Abstract]:The current transport of P-N junction depletion channel depends on the barrier height in the channel. In this paper, the channel barrier model is constructed. The analytical expression of the barrier height is given based on the device physical analysis. The model makes reasonable assumptions and analyses for the boundary conditions of the depletion region in and out of the channel. The potential distribution of the above two regions is obtained by solving Poisson equation. The analytical expression of barrier height is derived by synthesizing the potential distribution of these two regions, which completely reflects the barrier height and device material parameters. The relationship between the structural parameters and the applied bias voltage. The analytical model is in good agreement with the numerical simulation results. The construction of the model is of great significance for the analysis of semiconductor devices with P-N junction depletion channels.
【作者單位】： 蘭州大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院微電子研究所;
【分類號】：O475
【正文快照】： P-N結(jié)的正反偏性質(zhì)在雙極結(jié)型晶體管(bipolarjunction transistor,BJT)和場效應(yīng)晶體管(field-effecttransistor,FET)中得到了很大應(yīng)用.其中,BJT和金屬-絕緣體-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mental-insulator-semi-conductor FET,MISFET)利用了P-N結(jié)耗盡層的關(guān)斷作用:BJT是利用P-N結(jié)正偏

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 駱敏;楊雙波;;多勢壘結(jié)構(gòu)共振透射系數(shù)的計算[J];南京師大學(xué)報(自然科學(xué)版);2012年02期

2 許田;解霞;方靖淮;;階躍指數(shù)衰減勢壘和平方勢壘中的量子反射[J];南通大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);2010年04期

3 陳小安;規(guī)則勢壘陣的求解方法[J];大學(xué)物理;1986年05期

4 崔益民;陳彥;裴朝;潘暉;張高龍;錢建強(qiáng);李華;;肖特基結(jié)的制備與勢壘測量[J];物理實驗;2011年12期

5 李書平,王仁智,蔡淑惠;金屬-半導(dǎo)體接觸勢壘高度的理論計算[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2003年04期

6 周青春;雙方勢壘散射[J];華東船舶工業(yè)學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2001年03期

7 吳春瑜;王穎;朱長純;;等效表面電荷對斜角造型p-n結(jié)表面電場的影響(英文)[J];Journal of Shanghai University(English Edition);2008年01期

8 駱敏;楊雙波;;外場中多勢壘結(jié)構(gòu)的共振傳輸[J];南京師大學(xué)報(自然科學(xué)版);2012年04期

9 趙普琴,楊錫震,李桂英,王亞非;p~+-n~--n結(jié)的勢壘分布[J];液晶與顯示;2001年01期

10 周勉,王渭源;Al-I(10~2，

本文編號：1409709