本文關(guān)鍵詞：低入射能量下電介質(zhì)樣品出射電子特性　出處：《固體電子學(xué)研究與進(jìn)展》2017年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：近年來,低入射能量下電介質(zhì)樣品出射電子特性研究在電子顯微成像、電子束曝光等領(lǐng)域得到了廣泛關(guān)注。結(jié)合數(shù)值計(jì)算和實(shí)驗(yàn)測量,研究和分析了石英樣品出射電子電流的動(dòng)態(tài)變化特性及相關(guān)因素的影響。結(jié)果表明,二次電子能譜的峰值半寬度比金屬樣品要小,幾率最大的出射能量約為2 e V。隨著電子束持續(xù)照射,表面電位逐漸下降并趨于穩(wěn)定,二次電子電流逐漸增大至穩(wěn)定值,背散射電子電流基本保持不變。穩(wěn)態(tài)二次電子電流和背散射電子電流隨入射能量的變化基本保持不變,二者隨束流增大近似線性增大。樣品臺(tái)偏壓越高,二次電子電流越小,背散射電子電流基本不變。
[Abstract]:In recent years, the study on the emission electron characteristics of dielectric samples at low incident energy has received extensive attention in the fields of electron microscopic imaging, electron beam exposure and so on, combined with numerical calculation and experimental measurement. The dynamic characteristics of the exiting electron current of quartz samples and the influence of related factors are studied and analyzed. The results show that the peak half width of the secondary electron energy spectrum is smaller than that of the metal sample. The maximum emission energy is about 2 EV. With the continuous irradiation of the electron beam, the surface potential decreases and tends to stabilize, and the secondary electron current gradually increases to the stable value. The steady-state secondary electron current and backscatter electron current change with the incident energy basically, and they increase linearly with the increase of beam current. The bias voltage of the sample station is higher. The smaller the secondary electron current, the less the backscattered electron current is.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)自動(dòng)化與信息工程學(xué)院;西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系;
【基金】：陜西省自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(2015JM6348) 陜西省教育廳科研計(jì)劃項(xiàng)目(15JK1509) 西安理工大學(xué)科研計(jì)劃項(xiàng)目(2015CX030)
【分類號(hào)】：O46
【正文快照】： ***引言當(dāng)具有一定能量的電子束照射到樣品時(shí),會(huì)與樣品原子或分子發(fā)生復(fù)雜的碰撞,激發(fā)出大量的次級(jí)電子,包括二次電子(能量低于50 e V)和背散射電子(能量高于50 e V)。部分次級(jí)電子會(huì)從表面出射形成出射電子電流。由于受到材料特性的影響,出射電子電流攜帶有材料的相關(guān)信息,使

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1 A.Lutter;K.Ferencz;彭家駒;;電介質(zhì)薄膜的光散射[J];應(yīng)用激光;1980年03期

2 李懋廉;;內(nèi)應(yīng)力[J];光學(xué)機(jī)械;1978年03期

3 _5US家;;大型電子電流，

本文編號(hào)：1409541