本文關(guān)鍵詞：不同應(yīng)變對Ge的光學(xué)性質(zhì)影響的第一性原理研究　出處：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年06期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：研究了不同方向、不同強(qiáng)度的應(yīng)變對Ge光學(xué)性質(zhì)的影響。結(jié)果表明,Ge在單軸張應(yīng)變和雙軸張應(yīng)變的調(diào)控下,均可由間接帶隙轉(zhuǎn)向直接帶隙,其中,單軸應(yīng)變有更低的轉(zhuǎn)變點(diǎn)。Ge在常用波段處(0.4 eV)的介電函數(shù)實(shí)部和虛部在張應(yīng)變作用下,均急速上升而后在一定應(yīng)變范圍內(nèi)下降。對Ge進(jìn)行[111]單軸應(yīng)變調(diào)控能表現(xiàn)出更好的光學(xué)性能以及更便捷的器件設(shè)計(jì)(較低的應(yīng)變量)。
[Abstract]:The effect of different direction and strength strain on the optical properties of GE is studied. The results show that GE can change from indirect band gap to direct band gap under the control of uniaxial strain and biaxial strain. There is a lower transition point in uniaxial strain. GE (0.4 EV) in common band. The real part and imaginary part of GE increase rapidly under the action of tensile strain, and then decrease within a certain strain range. [111] uniaxial strain control can exhibit better optical properties and more convenient device design (lower strain).
【作者單位】： 中國石油大學(xué)(北京)理學(xué)院;北京信息科技大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金青年科學(xué)基金(11604016) 北京市教育委員會(huì)科技計(jì)劃一般項(xiàng)目資助~~
【分類號】：O472.3
【正文快照】： 1引言近年來,Ge作為一種新型的光電探測器材料而受到人們的普遍關(guān)注,并且最近以其較高的電子空穴遷移率而被作為新型的硅基激光發(fā)射器的組成元素[1]。但Ge屬于間接帶隙結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致其在發(fā)光時(shí)空穴和電子復(fù)合動(dòng)量不守恒,必須依靠發(fā)射聲子來進(jìn)行,所以光電效率較低。這個(gè)缺

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本文編號：1376383