本文關(guān)鍵詞：基于硅納米孔柱陣列氮化鎵納米結(jié)構(gòu)的光致發(fā)光特性　出處：《鄭州大學(xué)學(xué)報(bào)(理學(xué)版)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關(guān)文章： 硅納米孔柱陣列 氮化鎵 光致發(fā)光 能帶結(jié)構(gòu)

【摘要】：以硅納米孔柱陣列(Si-NPA)為襯底,采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)在不同條件下制備了GaN/Si-NPA,并對(duì)其表面形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征.結(jié)果表明,隨著制備溫度和氨氣流量的升高,GaN/Si-NPA中GaN納米結(jié)構(gòu)的形貌發(fā)生顯著變化,特征尺寸逐漸變大.對(duì)樣品光致發(fā)光譜的測(cè)試結(jié)果表明,不同溫度制備的GaN/Si-NPA均具有紫外光、黃光和紅光3個(gè)發(fā)光帶,但發(fā)光帶的強(qiáng)度、峰位和半高寬隨制備溫度發(fā)生變化.對(duì)GaN/Si-NPA的光致發(fā)光過程與發(fā)光機(jī)制進(jìn)行了分析,通過改變制備條件可以對(duì)其光致發(fā)光特性實(shí)現(xiàn)有效調(diào)控.
[Abstract]:The morphology and structure of GaN / Si - NPA in GaN / Si - NPA have been characterized by using Si - NPA as substrate . The results show that the GaN / Si - NPA in GaN / Si - NPA has obvious change in morphology and structure .

【作者單位】： 鄭州大學(xué)物理工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61176044)
【分類號(hào)】：O482.31;TN304
【正文快照】： 0引言氮化鎵(Ga N)是直接帶隙的Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體,其在室溫下的帶隙寬度約為3.4 e V.晶體Ga N具有介電常數(shù)小、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高和熱導(dǎo)率大等優(yōu)異的物理性能,以及較強(qiáng)的耐高溫、耐腐蝕和抗輻射能力.同時(shí),Ga N具有良好的機(jī)械和化學(xué)穩(wěn)定性,高溫下可以異質(zhì)生長在藍(lán)寶石、碳化硅、單晶

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