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三維Al摻ZnO薄膜的低溫電子散射機(jī)制

發(fā)布時(shí)間:2017-12-29 08:00

  本文關(guān)鍵詞:三維Al摻ZnO薄膜的低溫電子散射機(jī)制 出處:《低溫物理學(xué)報(bào)》2017年03期  論文類型:期刊論文


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【摘要】:本文系統(tǒng)研究了厚度約1μm的Al摻ZnO(AZO)薄膜的低溫電子散射機(jī)制.研究發(fā)現(xiàn),薄膜在較高溫區(qū)的電阻溫度系數(shù)為正值,且載流子濃度在2~300K范圍內(nèi)不隨溫度而改變,表明薄膜具有簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的電輸運(yùn)性質(zhì).通過測(cè)量薄膜在4~35K范圍不同溫度下的磁電阻,獲得了低溫下退相干散射率與溫度的關(guān)系.與現(xiàn)有非彈性散射理論比較發(fā)現(xiàn),僅由電子-聲子散射并不能解釋AZO薄膜低溫下非彈性散射率與溫度的依賴關(guān)系,除電子-聲子散射外,必須同時(shí)考慮小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射的貢獻(xiàn),這與薄膜較低的載流子濃度相關(guān)(我們的薄膜載流子濃度低于8×1020 cm~(-3)).我們的結(jié)果一方面表明電子-聲子散射和電子-電子散射可以在三維無序?qū)w中并存,另一方面從實(shí)驗(yàn)上定量地驗(yàn)證了關(guān)于電子-聲子散射率與小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射率的理論.
[Abstract]:......
【作者單位】: 天津大學(xué)理學(xué)院物理系天津市低維功能材料物理與制備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11174216) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(批準(zhǔn)號(hào):20120032110065)資助的課題~~
【分類號(hào)】:O484;TN304.21
【正文快照】: 1引  言在無序?qū)w中,電子退相干機(jī)制是一個(gè)非常重要且有趣的問題.一般來講,電子退相干機(jī)制與體系的維度、無序度及測(cè)量溫度有關(guān)[1-3].在三維弱無序金屬中,電子-聲子散射通常是主要的退相干機(jī)制[3-5].在自由電子近似下,電子-聲子散射率與載流子濃度的關(guān)系滿足1/τep∝n[6],

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3 毛允靜,陳永祺;用Monte Carlo方法計(jì)算電子散射和穿透深度[J];物理;1982年03期

4 何延才,胡敏,陳家光,王心磊;Monte Carlo方法計(jì)算低能電子散射[J];科學(xué)通報(bào);1988年10期

5 程檀生;高能電子散射與核結(jié)構(gòu)[J];核技術(shù);1989年Z1期

6 譚震宇,何延才,宋傳杰;多層介質(zhì)中電子散射自由程及邊界理論[J];科學(xué)通報(bào);1992年16期

7 黃亨吉,善甫康成;在硅晶體中由螺位錯(cuò)引起的電子散射[J];物理學(xué)報(bào);1984年09期

8 錢樹高;核的擺動(dòng)[J];大自然探索;1986年03期

9 何延才,陳家光,王心磊,馬業(yè)明;多層簿膜厚度XQMA測(cè)定及Monte Carlo計(jì)算方法[J];中國科學(xué)(A輯 數(shù)學(xué) 物理學(xué) 天文學(xué) 技術(shù)科學(xué));1990年07期

10 C.戴維遜;L.H.戈莫;楊威生;;單晶鎳中的電子散射[J];北京大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2002年S1期

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3 吳興舉;張穗萌;薛新霞;宋軍;楊歡;;中高能電子散射全截面絕對(duì)測(cè)量裝置[A];第十五屆全國原子與分子物理學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2009年

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