三維Al摻ZnO薄膜的低溫電子散射機(jī)制
本文關(guān)鍵詞:三維Al摻ZnO薄膜的低溫電子散射機(jī)制 出處:《低溫物理學(xué)報(bào)》2017年03期 論文類型:期刊論文
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【摘要】:本文系統(tǒng)研究了厚度約1μm的Al摻ZnO(AZO)薄膜的低溫電子散射機(jī)制.研究發(fā)現(xiàn),薄膜在較高溫區(qū)的電阻溫度系數(shù)為正值,且載流子濃度在2~300K范圍內(nèi)不隨溫度而改變,表明薄膜具有簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的電輸運(yùn)性質(zhì).通過測(cè)量薄膜在4~35K范圍不同溫度下的磁電阻,獲得了低溫下退相干散射率與溫度的關(guān)系.與現(xiàn)有非彈性散射理論比較發(fā)現(xiàn),僅由電子-聲子散射并不能解釋AZO薄膜低溫下非彈性散射率與溫度的依賴關(guān)系,除電子-聲子散射外,必須同時(shí)考慮小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射的貢獻(xiàn),這與薄膜較低的載流子濃度相關(guān)(我們的薄膜載流子濃度低于8×1020 cm~(-3)).我們的結(jié)果一方面表明電子-聲子散射和電子-電子散射可以在三維無序?qū)w中并存,另一方面從實(shí)驗(yàn)上定量地驗(yàn)證了關(guān)于電子-聲子散射率與小能量轉(zhuǎn)移電子-電子散射率的理論.
[Abstract]:......
【作者單位】: 天津大學(xué)理學(xué)院物理系天津市低維功能材料物理與制備技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):11174216) 高等學(xué)校博士學(xué)科點(diǎn)專項(xiàng)科研基金(批準(zhǔn)號(hào):20120032110065)資助的課題~~
【分類號(hào)】:O484;TN304.21
【正文快照】: 1引 言在無序?qū)w中,電子退相干機(jī)制是一個(gè)非常重要且有趣的問題.一般來講,電子退相干機(jī)制與體系的維度、無序度及測(cè)量溫度有關(guān)[1-3].在三維弱無序金屬中,電子-聲子散射通常是主要的退相干機(jī)制[3-5].在自由電子近似下,電子-聲子散射率與載流子濃度的關(guān)系滿足1/τep∝n[6],
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,本文編號(hào):1349425
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