本文關(guān)鍵詞：超高寬深比結(jié)構(gòu)氮化硅波導的研究　出處：《半導體光電》2017年04期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：超高寬深比結(jié)構(gòu)氮化硅波導具有低損耗和高偏振消光比的優(yōu)異性能,是抑制集成光學陀螺中偏振噪聲的可行性方案。文章基于FEM和FDTD方法對氮化硅波導的模場分布、彎曲損耗及光纖插入損耗進行了仿真分析,通過對波導截面結(jié)構(gòu)的設(shè)計優(yōu)化,并采用LPCVD和RIE微納工藝在石英基底上成功制備了寬深比高達100的單模氮化硅波導。表征及通光測試驗證了工藝可行性,對一長為12mm的氮化硅直波導測試得偏振消光比達3dB。研究結(jié)果對超高寬深比氮化硅波導在集成光學陀螺及相關(guān)偏振器件中的應用研究具有一定意義。
[Abstract]:The ultrahigh aspect ratio structure silicon nitride waveguide has excellent performance of low loss and high polarization extinction ratio. It is a feasible scheme to suppress polarization noise in integrated optical gyroscope. The FEM and FDTD methods based on silicon nitride waveguide mode field distribution, fiber bending loss and the insertion loss are analyzed. The design optimization of the cross section of the waveguide structure, and using LPCVD and RIE micro nano technology for single mode silicon nitride waveguide width to depth ratio of up to 100 were prepared on quartz substrate. The feasibility of the process is verified by the characterization and light test. The polarization extinction ratio of a silicon nitride straight waveguide with a long 12mm is 3dB. The research results are of certain significance for the application of ultra high width to depth ratio silicon nitride waveguide in integrated optical gyroscope and related polarization devices.
【作者單位】： 北京航空航天大學光電技術(shù)研究所微納測控與低維物理教育部重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金項目(61473022)
【分類號】：TN252
【正文快照】： 0引言近年來,隨著集成光學的發(fā)展和微納工藝水平的提升,基于平面光波導的諧振式集成光學陀螺已經(jīng)被提出并得到了不斷發(fā)展[1-2]。與光纖陀螺和激光陀螺相比,集成光學陀螺在小型化和集成化方面有著巨大優(yōu)勢。集成光學陀螺中,介質(zhì)光波導的傳輸特性顯著影響著陀螺的性能。目前,集

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本文編號：1342201