本文關(guān)鍵詞：雜質(zhì)對方形量子點基態(tài)能和束縛能的影響　出處：《量子電子學報》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：用有限差分法求解了二維方形量子點中有H_2~+雜質(zhì)時的量子體系,得到了離散薛定諤方程.對體系中電子處于基態(tài)時的能量和雜質(zhì)的束縛能進行了數(shù)值計算,討論了不同間距的雜質(zhì)離子對不同尺寸量子點中電子基態(tài)能量和束縛能的影響。計算結(jié)果表明:量子點中電子基態(tài)能量是雜質(zhì)位置和量子點尺度的函數(shù);基態(tài)能量隨著量子點尺度的增加先急劇減小后緩慢增大,最后趨于定值;雜質(zhì)對電子的束縛能隨著量子點尺度的增加而減小;雜質(zhì)間距越小對量子點基態(tài)能影響越大。
[Abstract]:By using the finite difference method to solve the quantum system with H_2~+ impurity quantum dots in a two-dimensional square, the discrete Schrodinger equation. The bound electron in the ground state energy and the impurity in the system was calculated, the effect of impurity ions with different spacing of different sizes of quantum dots in the electronic ground state energy and the binding energy the discussion. The calculation results show that the quantum dots in the electronic ground state energy is a function of the impurity position and the size of quantum dots; ground state energy increases with the size of quantum dots decreased rapidly at first and then increases slowly and finally tends to be constant; impurities increase with the size of quantum dots and reduced to the bound electron impurity; the smaller the distance between the greater impact on the ground states.
【作者單位】： 河南城建學院數(shù)理學院;
【基金】：高等學校計算物理課程教學研究項目,JZW-14-JW-30~~
【分類號】：O471.1
【正文快照】： l引言近年來納米尺度制造技術(shù)的發(fā)展非�？�,科學家已成功地制備出超小結(jié)構(gòu)的半導體量子點。雜質(zhì)對量子點器件的輸運和光電性質(zhì)有重要影響,因此含有雜質(zhì)的童子點引起了科學家的注意。h2+離子被認為是研究分子結(jié)構(gòu)的很好的模型,它為更復雜的雙分子結(jié)構(gòu)及光譜的研究奠定了理論基

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本文編號：1341944