本文關(guān)鍵詞：非磁性半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)物理模型研究　出處：《材料導(dǎo)報(bào)》2017年17期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：非磁性半導(dǎo)體的磁阻效應(yīng)一直以來(lái)受到了科研工作者的廣泛關(guān)注,具有重大的研究意義和價(jià)值,在磁性傳感器、高密度存儲(chǔ)等方面有著潛在應(yīng)用前景。主要綜述了幾種典型的非磁性半導(dǎo)體磁阻效應(yīng)物理模型,即空間電荷效應(yīng)模型、納米非均勻性模型、二極管輔助幾何增強(qiáng)模型、載流子復(fù)合模型和雪崩電離模型。最后,對(duì)非磁性半導(dǎo)體的雪崩電離基磁阻效應(yīng)進(jìn)行了分析和展望。
[Abstract]:The magnetoresistance effect of non-magnetic semiconductor has been widely concerned by researchers. It has great research significance and value, and has potential application in magnetic sensors, high-density storage and so on. Several typical models of magnetoresistive effect of nonmagnetic semiconductors, including space charge effect model, nano nonuniformity model, diode assisted geometric augmented model, carrier recombination model and avalanche ionization model, are reviewed. Finally, the effect of the avalanche ionization based magnetoresistance effect on nonmagnetic semiconductors is analyzed and prospected.
【作者單位】： 武漢理工大學(xué)材料復(fù)合新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(11574243;11174231)
【分類號(hào)】：O472
【正文快照】： 0引言磁阻(MR)效應(yīng),是指材料的電阻隨外加磁場(chǎng)變化而變化的效應(yīng),一般定義式為MR=[R(B)-R(0)]/R(0),其中R(B)和R(0)分別為施加磁場(chǎng)后和未施加磁場(chǎng)情況下樣品的電阻值。在過(guò)去幾十年里,人們?cè)诰薮抛栊?yīng)和隧道磁阻效應(yīng)等方面的研究已取得了巨大成就[1-3],基于磁阻效應(yīng)的存儲(chǔ)器件

【相似文獻(xiàn)】

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1 劉先曙;法國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)光磁阻效應(yīng)[J];科技導(dǎo)報(bào);1998年02期

2 孔永紅;;一個(gè)磁壘納米結(jié)構(gòu)中的磁阻效應(yīng)[J];湖南工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào);2007年02期

3 肖立業(yè),韓燕生;銀在低溫下的磁阻效應(yīng)的測(cè)試[J];低溫與超導(dǎo);1992年03期

4 崔甲武,宋金t，

本文編號(hào)：1340475