本文關(guān)鍵詞：考慮低能電子影響的二次電子修正模型　出處：《中國空間科學(xué)技術(shù)》2017年02期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：隨著微放電效應(yīng)研究的不斷深入,低能電子影響在微放電過程中越來越不可忽視。當(dāng)前常用的微放電模型在處理低能電子問題上具有一定的局限性,為了精確模擬這一過程,在深入研究二次電子和背散射電子發(fā)射理論的基礎(chǔ)上,分別針對(duì)材料表面條件不同引起的二次電子發(fā)射系數(shù)不確定性、低能電子的背散射系數(shù)以及電子入射角等問題進(jìn)行了分析和討論,并在此基礎(chǔ)上建立了一個(gè)二次電子發(fā)射模型,最后通過數(shù)值計(jì)算討論了模型的正確性和適用范圍。這一模型同時(shí)考慮材料表面條件參數(shù)、低能電子的背散射系數(shù)以及入射角等因素影響,能夠兼容較低能量電子的二次發(fā)射,提升微放電數(shù)值模擬的精確度和適用性,為微放電數(shù)值模擬的發(fā)展起到推進(jìn)作用。
【作者單位】： 中國空間技術(shù)研究院西安分院空間微波技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國文昌航天發(fā)射場(chǎng)指揮控制中心;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(U1537211,11605135)
【分類號(hào)】：O462.2
【正文快照】： 2.中國文昌航天發(fā)射場(chǎng)指揮控制中心,文昌571300網(wǎng)絡(luò)出版地址:http:∥kns.cnki.net/kcms/detail/11.1859.V.20170321.1537.005.html引用格式:彭凱,李晶,張穎軍,等.考慮低能電子影響的二次電子修正模型[J].中國空間科學(xué)技術(shù),2017,37(2):32-38.PENG K,LI J,ZHANG Y J,et al.A mod

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本文編號(hào)：1331508