基于雙表面等離子激元吸收的納米光刻
本文關(guān)鍵詞:基于雙表面等離子激元吸收的納米光刻 出處:《物理學(xué)報(bào)》2017年14期 論文類(lèi)型:期刊論文
更多相關(guān)文章: 表面等離子激元 納米光刻 光學(xué)非線性 衍射極限
【摘要】:光刻技術(shù)(lithography)是微納結(jié)構(gòu)制備的關(guān)鍵技術(shù)之一.受限于光的衍射極限,傳統(tǒng)光刻方法進(jìn)一步縮小特征尺寸變得越來(lái)越難.表面等離子激元(surface plasmon polariton,SPP)作為光與金屬表面自由電子密度振蕩相互耦合形成的一種特殊電磁形式,具有波長(zhǎng)短、場(chǎng)密度大、異常色散等特點(diǎn),在突破傳統(tǒng)光學(xué)衍射極限的研究和應(yīng)用中具有重要的學(xué)術(shù)和實(shí)用價(jià)值.本文針對(duì)SPP在光刻膠中的非線性吸收及其在大視場(chǎng)納米光刻中的應(yīng)用進(jìn)行了理論和實(shí)驗(yàn)探索.在回顧SPP概念的基礎(chǔ)上,闡述了雙SPP吸收的概念及其應(yīng)用于納米光刻的優(yōu)勢(shì),明確了該效應(yīng)具有與傳統(tǒng)雙光子吸收不同的內(nèi)涵和特性.在800和400nm飛秒激光的作用下,實(shí)現(xiàn)了基于雙SPP吸收效應(yīng)的周期干涉條紋,同時(shí)驗(yàn)證了雙SPP吸收的閩值效應(yīng),通過(guò)控制曝光計(jì)量實(shí)現(xiàn)了圖形線寬的調(diào)控,最小線寬小于真空光波長(zhǎng)的1/10.利用SPP波長(zhǎng)短、場(chǎng)增強(qiáng)的特點(diǎn),并結(jié)合非線性吸收的閩值效應(yīng),單次曝光區(qū)域比納米圖形尺度大4 5個(gè)數(shù)量級(jí),曝光區(qū)域的直徑可達(dá)1.6 mm.同時(shí)制備出較為復(fù)雜的同心圓環(huán)結(jié)構(gòu).基于雙SPP吸收獨(dú)有的特性以及SPP豐富的模式,有望進(jìn)一步在大光刻視場(chǎng)、超小尺度圖形光刻技術(shù)上獲得突破.
【作者單位】: 清華大學(xué)電子工程系信息科學(xué)與技術(shù)國(guó)家實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(批準(zhǔn)號(hào):2013CBA01704) 國(guó)家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61575104,61621064)資助的課題~~
【分類(lèi)號(hào)】:O485
【正文快照】: xfP 光刻技術(shù)(lithography)是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模制造微/納尺度微電子和光電子器件的關(guān)鍵技術(shù)之一W.受光的衍射效應(yīng)限制,進(jìn)一步縮小特征尺寸變得越來(lái)越困難,常規(guī)的光刻技術(shù)也變得越來(lái)越復(fù)雜和昂貴[1,2].在過(guò)去的幾十年間,人們?cè)诓粩嗵剿餍略、新方法、新技術(shù),期望突破光的衍射極限,
【相似文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):1309056
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