發(fā)布時(shí)間：2017-12-19 16:07

  本文關(guān)鍵詞：采用馬赫-曾德爾干涉法測量單晶硅在線應(yīng)力損傷　出處：《光學(xué)精密工程》2017年05期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：開展了毫秒脈沖激光輻照單晶硅的實(shí)驗(yàn)研究,基于馬赫-曾德爾干涉技術(shù)測量了毫秒脈沖激光與單晶硅相互作用過程中的在線應(yīng)力損傷。用COMSOL Multiphysics有限元仿真軟件建立了毫秒脈沖激光輻照單晶硅的數(shù)值仿真模型。從理論和實(shí)驗(yàn)兩方面探討了毫秒脈沖激光與單晶硅作用時(shí),相同脈寬不同能量密度下應(yīng)力場隨時(shí)間的演變規(guī)律。進(jìn)一步研究了干涉條紋的處理方法,基于傳統(tǒng)x軸投影法提出了用45°投影法來計(jì)算材料各方向上的應(yīng)變,并對(duì)兩種處理方法得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了對(duì)比。結(jié)果顯示:與仿真結(jié)果相比,x軸投影法實(shí)驗(yàn)結(jié)果的誤差為9.5%~29.3%,而45°投影法實(shí)驗(yàn)結(jié)果的誤差為0.1%~22.6%,表明用馬赫-曾德爾干涉法測量激光輻照單晶硅產(chǎn)生的在線應(yīng)力損傷時(shí),采用45°投影法計(jì)算材料各方向上的應(yīng)變結(jié)果更為準(zhǔn)確。該實(shí)驗(yàn)和計(jì)算方法為單晶硅在線應(yīng)力損傷的研究提供了理論和實(shí)驗(yàn)上的指導(dǎo)。
【作者單位】： 長春理工大學(xué)理學(xué)院;
【基金】：吉林省固體激光技術(shù)與應(yīng)用重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金資助項(xiàng)目(No.20150622011JC)
【分類號(hào)】：TN249;TN304.12
【正文快照】： 1引言隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展,其已廣泛應(yīng)用于汽車、掃描、測量、通信等各行各業(yè)[1-3]。激光輻照材料的損傷機(jī)理是研究激光斷裂、切割等的基礎(chǔ),所以研究激光輻照材料的損傷機(jī)理有著極其重要的意義。陳北彥等對(duì)激光輻照單晶硅熱應(yīng)力損傷的數(shù)值仿真做了較為詳盡的研究[4]。1971

【相似文獻(xiàn)】

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1 肖清華;王敬;屠海令;;質(zhì)子注入單晶硅中的結(jié)構(gòu)演化[A];中國有色金屬學(xué)會(huì)第五屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2003年

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2 曹建偉;直拉式單晶硅生長爐的關(guān)鍵技術(shù)研究[D];浙江大學(xué);2010年

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1 李佳桂;組合激光對(duì)單晶硅熱作用的數(shù)值分析[D];南京理工大學(xué);2016年

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本文編號(hào)：1308559