本文關(guān)鍵詞：高頻飛秒激光對硅材料燒蝕的熱積累效應

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【摘要】：對硅材料飛秒激光損傷進行了數(shù)值模擬。首先,在飛秒激光與硅相互作用的雙溫模型中引入能帶電子激發(fā)、雙光子吸收,俄歇復合等一系列非線性項,通過每一個光場半周期中的麥克斯韋電磁場公式,得出材料中不同時間的光場強度,作為描述材料對光強的響應物質(zhì)方程的輸入項。通過麥克斯韋方程與物質(zhì)方程間的迭代可以得到燒蝕的硅的一系列參數(shù),如電子濃度、晶格溫度等。在此基礎(chǔ)上分析了皮秒、亞皮秒量級雙脈沖和三脈沖飛秒激光作用下,激光能量密度和脈沖延遲時間對熱積累效應的影響。
【作者單位】： 脈沖激光技術(shù)國家重點實驗室;
【分類號】：TN249
【正文快照】： 1引言近幾年來,飛秒激光因其在燒蝕材料形成微米和納米結(jié)構(gòu)方面的應用引起了廣泛的關(guān)注[1-3]。在用高強度飛秒脈沖激光照射硅晶體時,電子通過線性和非線性光學吸收從價帶(VB)提升到導帶中。當被激發(fā)的電子密度達到一定值時,硅材料的光學特性(特別是介電常數(shù))受到影響。在非線

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本文編號：1274265