發(fā)布時(shí)間：2017-12-08 04:38

  本文關(guān)鍵詞：基于Si襯底的CdSe薄膜蒸鍍工藝研究

  更多相關(guān)文章： 真空蒸發(fā) CdSe薄膜 蒸發(fā)電流 結(jié)晶結(jié)構(gòu) 表面形貌

【摘要】：采用真空蒸發(fā)技術(shù)在Si(100)基底上制備了CdSe納米晶薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、膜厚測(cè)試儀、原子力顯微鏡(AFM)方法對(duì)不同蒸發(fā)電流下制備的薄膜的結(jié)晶情況、表面形貌進(jìn)行分析表征。結(jié)果表明:蒸發(fā)電流對(duì)CdSe薄膜的結(jié)晶性能和表面形貌有顯著影響。當(dāng)蒸發(fā)電流為75 A時(shí),CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相對(duì)較強(qiáng),沿c軸取向擇優(yōu)生長(zhǎng)優(yōu)勢(shì)明顯,薄膜厚度約為160 nm,晶粒尺寸約為40 nm,顆粒均勻;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相對(duì)較低,薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好。
【作者單位】： 西華師范大學(xué)物理與空間科學(xué)學(xué)院;
【基金】：四川省科技廳應(yīng)用基礎(chǔ)研究(2014JY0133) 西華師范大學(xué)博士科研啟動(dòng)基金(412577)
【分類號(hào)】：O484
【正文快照】： 1引言近年來(lái),光電薄膜材料的研究和開發(fā)已成為材料領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)之一[1-4]。其中,II-VI族化合物半導(dǎo)體材料Cd Se,具有與太陽(yáng)光譜可見光波段相適應(yīng)的禁帶寬度(1.74 e V),光電性能優(yōu)異,被多個(gè)團(tuán)隊(duì)關(guān)注和研究[5,6]。Cd Se半導(dǎo)體材料在制備發(fā)光二極管、太陽(yáng)能電池、光電傳感器等

【相似文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 高艷麗;王宗花;夏建飛;張菲菲;夏延致;李延輝;;Synthesis of CdSe quantum dots[J];科技信息;2012年10期

2 ;Structural, Optical and Electrical Properties of Evaporated CdSe Films[J];Journal of Materials Science & Technology;1995年02期

3 朱世富,趙北君,于豐亮,李正輝,李其峰,邵雙運(yùn),朱興華,王學(xué)敏,何苗,林劍;CdSe單晶體的生長(zhǎng)研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2000年S1期

4 王雪婷;于俊生;謝穎;;水溶性CdSe/CdS量子點(diǎn)的合成及其與牛血清蛋白的共軛作用[J];無(wú)機(jī)化學(xué)學(xué)報(bào);2007年07期

5 周菊紅;王濤;陳友存;;CdSe納米制備方法的研究進(jìn)展[J];科技資訊;2007年27期

6 賀春元;高春曉;李明;郝愛民;黃曉偉;于翠鈴;張冬梅;王月;鄒廣田;;CdSe在高壓下的電學(xué)性質(zhì)及相變[J];高壓物理學(xué)報(bào);2008年01期

7 張穎;;CdSe納米晶帶隙隨溫度變化的研究[J];物理實(shí)驗(yàn);2009年06期

8 傅昕;黃可龍;劉素琴;;Citrate-stabilized CdSe/CdS quantum dots as fluorescence probe for protein determination[J];Journal of Central South University of Technology;2010年04期

9 姚寶權(quán);李綱;朱國(guó)利;蒙裴貝;鞠有倫;王月珠;;Comparative investigation of long-wave infrared generation based on ZnGeP_2 and CdSe optical parametric oscillators[J];Chinese Physics B;2012年03期

10 ZHANG YouLin;TU LangPing;ZENG QingHui;KONG XiangGui;;Effect of protein molecules on the photoluminescence properties and stability of water-soluble CdSe/ZnS core-shell quantum dots[J];Chinese Science Bulletin;2013年21期

中國(guó)重要會(huì)議論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 楊明理;曾群;石晶;江明龍;;Nucleation and Growth Mechanism of CdSe Quantum Dots:A Theoretical Study[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第4分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

2 ;Facile preparation of CdSe/ligand hybrid nanospheres with good fluorescent property[A];河南省化學(xué)會(huì)2012年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2012年

3 俞英;鐘萍;;11-巰基烷酸修飾的納米晶CdSe/CdS的合成及熒光增敏法測(cè)定溶菌酶[A];第八屆全國(guó)發(fā)光分析暨動(dòng)力學(xué)分析學(xué)術(shù)研討會(huì)論文集[C];2005年

4 鄭保戰(zhàn);袁紅雁;李陳歡;肖丹;;CdS、CdSe半導(dǎo)體薄膜的制備和光電化學(xué)性能研究[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第9分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

5 劉澤華;;CdSe納米粒子的合成及光學(xué)性質(zhì)[A];中國(guó)造紙學(xué)會(huì)涂布加工紙專業(yè)委員會(huì)2005年涂布加工紙、特種紙技術(shù)交流會(huì)論文資料集[C];2005年

6 郭應(yīng)臣;卓立宏;黃群增;孫汝中;;功能性CdSe納米晶的合成及自組裝膜的光學(xué)性能[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第26屆學(xué)術(shù)年會(huì)納米化學(xué)分會(huì)場(chǎng)論文集[C];2008年

7 Yuesheng Li;Meifang Zhang;Kan Li;Aiqing Zhang;Fenglei Jiang;;Enhanced Photocatalytic Behaviors of TiO_2 Nanocomposites Doped with CdSe Quantum Dots[A];科技引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)、支撐跨越發(fā)展——第六屆湖北科技論壇論文集萃[C];2011年

8 張莉;司華艷;張浩力;;高度有序CdSe量子點(diǎn)陣列的制備[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第26屆學(xué)術(shù)年會(huì)納米化學(xué)分會(huì)場(chǎng)論文集[C];2008年

9 羅政純;朱世富;趙北君;王瑞林;陳松林;何知宇;;濕氧鈍化CdSe(110)表面的XPS分析[A];中國(guó)硅酸鹽學(xué)會(huì)2003年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2003年

10 沈清明;蔣靜漪;范曲立;;一步水熱法合成CdSe-Graphene及其光電傳感[A];中國(guó)化學(xué)會(huì)第28屆學(xué)術(shù)年會(huì)第9分會(huì)場(chǎng)摘要集[C];2012年

中國(guó)博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 田樂成;CdSe微納結(jié)構(gòu)的制備及其光電性能研究[D];吉林大學(xué);2013年

2 郭國(guó)寧;表面活性劑對(duì)聚乳酸納米粒的修飾及其CdSe量子點(diǎn)的標(biāo)記研究[D];華中科技大學(xué);2006年

3 尚卓鑌;幾種水溶性CdSe量子點(diǎn)在無(wú)機(jī)離子識(shí)別中的應(yīng)用[D];山西大學(xué);2011年

4 池玉娟;CdS和CdSe在TiO_2薄膜表面的可控沉積及光電性能研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2008年

5 戴全欽;CdSe等半導(dǎo)體納米晶的合成及性質(zhì)研究[D];吉林大學(xué);2007年

6 朱康偉;錳離子摻雜的CdSe量子點(diǎn)的制備以及以硒油胺作為陰離子前驅(qū)體制備量子點(diǎn)的研究[D];蘭州大學(xué);2012年

7 廖宇峰;應(yīng)用于生物光子成像的CdSe量子點(diǎn)核殼結(jié)構(gòu)材料的綠色制備[D];浙江大學(xué);2008年

8 張立功;ZnCdSe量子阱/CdSe量子點(diǎn)復(fù)合結(jié)構(gòu)中激子過(guò)程的研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所）;2003年

9 馮力蘊(yùn);復(fù)合熒光CdSe量子點(diǎn)的制備、表征與光學(xué)性質(zhì)研究[D];中國(guó)科學(xué)院研究生院（長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所）;2006年

10 夏星;基于CdSe的核殼半導(dǎo)體納米晶的結(jié)構(gòu)及熒光性質(zhì)研究[D];華中科技大學(xué);2010年

中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

1 劉浩琪;CdSe/ZnS量子點(diǎn)標(biāo)記骨髓間充質(zhì)干細(xì)胞在1型糖尿病大鼠模型體內(nèi)的分布[D];第二軍醫(yī)大學(xué);2015年

2 薛洪峰;基于CdSe/鈷分子催化劑光陰極的光致產(chǎn)氫器件的研究[D];大連理工大學(xué);2015年

3 盧敬;CdSe/TiO_2同軸納米電纜的制備與性能研究[D];天津大學(xué);2014年

4 王紅娥;CdSe/CdS/Pt共修飾TiO_2納米管陣列的構(gòu)筑及其可見光光催化性能的研究[D];合肥工業(yè)大學(xué);2015年

5 甘海軍;CdSe QDs@UIO-66復(fù)合材料的制備及在可見光下的光催化性能研究[D];長(zhǎng)春工業(yè)大學(xué);2016年

6 何光輝;β-NaYF_4:Yb~(3+),Tm~(3+)/CdSe納米異質(zhì)結(jié)構(gòu)的合成及近紅外上轉(zhuǎn)換發(fā)光性能的研究[D];吉林大學(xué);2016年

7 閆凱;基于CdSe量子點(diǎn)的DNA光電化學(xué)傳感器用于污染物監(jiān)測(cè)研究[D];華中科技大學(xué);2014年

8 郭科宏;CdS和CdSe量子點(diǎn)的雙液相體系合成與性能研究[D];燕山大學(xué);2016年

9 張新;以CdSe和CdZnSe量子點(diǎn)為標(biāo)記物的電化學(xué)發(fā)光免疫分析[D];山東大學(xué);2016年

10 陳嘉順;水溶性CdSe量子點(diǎn)的相關(guān)生物學(xué)效應(yīng)研究[D];揚(yáng)州大學(xué);2016年

，

本文編號(hào)：1265083