本文關(guān)鍵詞：基于Si襯底的CdSe薄膜蒸鍍工藝研究

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【摘要】：采用真空蒸發(fā)技術(shù)在Si(100)基底上制備了CdSe納米晶薄膜,利用X射線衍射儀(XRD)、膜厚測試儀、原子力顯微鏡(AFM)方法對不同蒸發(fā)電流下制備的薄膜的結(jié)晶情況、表面形貌進(jìn)行分析表征。結(jié)果表明:蒸發(fā)電流對CdSe薄膜的結(jié)晶性能和表面形貌有顯著影響。當(dāng)蒸發(fā)電流為75 A時,CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相對較強,沿c軸取向擇優(yōu)生長優(yōu)勢明顯,薄膜厚度約為160 nm,晶粒尺寸約為40 nm,顆粒均勻;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相對較低,薄膜結(jié)晶質(zhì)量較好。
【作者單位】： 西華師范大學(xué)物理與空間科學(xué)學(xué)院;
【基金】：四川省科技廳應(yīng)用基礎(chǔ)研究(2014JY0133) 西華師范大學(xué)博士科研啟動基金(412577)
【分類號】：O484
【正文快照】： 1引言近年來,光電薄膜材料的研究和開發(fā)已成為材料領(lǐng)域研究的熱點之一[1-4]。其中,II-VI族化合物半導(dǎo)體材料Cd Se,具有與太陽光譜可見光波段相適應(yīng)的禁帶寬度(1.74 e V),光電性能優(yōu)異,被多個團隊關(guān)注和研究[5,6]。Cd Se半導(dǎo)體材料在制備發(fā)光二極管、太陽能電池、光電傳感器等

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本文編號：1265083