<正>美國(guó)和意大利研究人員近日在《自然·電子》雜志上發(fā)表研究報(bào)告稱,他們開發(fā)出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲(chǔ)器件,其體積很小,耗能也非常低,很可能有助于解決目前人工智能（AI）發(fā)展所遭遇的"內(nèi)存瓶頸"。AI技術(shù)的快速發(fā)展有望改善醫(yī)療保健、交通運(yùn)輸?shù)榷鄠�(gè)領(lǐng)域,但其巨大潛力的發(fā)揮要以足夠的算力為基礎(chǔ),隨著AI數(shù)據(jù)集越來(lái)越大,計(jì)算機(jī)需要有更強(qiáng)大的內(nèi)存支撐。理想情況下,支持AI的存儲(chǔ)設(shè)備不僅要有與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）一樣快的速度,還要有類似于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）或閃存的存儲(chǔ)容量,更重要的是,它耗能要 

【文章來(lái)源】：儀器儀表用戶. 2020,27(03)

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