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新型磁存儲器件有望解決AI“內(nèi)存瓶頸”

發(fā)布時間:2021-12-15 18:49
  <正>美國和意大利研究人員近日在《自然·電子》雜志上發(fā)表研究報告稱,他們開發(fā)出一種基于反鐵磁材料的新型磁存儲器件,其體積很小,耗能也非常低,很可能有助于解決目前人工智能(AI)發(fā)展所遭遇的"內(nèi)存瓶頸"。AI技術(shù)的快速發(fā)展有望改善醫(yī)療保健、交通運輸?shù)榷鄠領(lǐng)域,但其巨大潛力的發(fā)揮要以足夠的算力為基礎(chǔ),隨著AI數(shù)據(jù)集越來越大,計算機需要有更強大的內(nèi)存支撐。理想情況下,支持AI的存儲設(shè)備不僅要有與靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)一樣快的速度,還要有類似于動態(tài)隨機存儲器(DRAM)或閃存的存儲容量,更重要的是,它耗能要 

【文章來源】:儀器儀表用戶. 2020,27(03)

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