發(fā)布時(shí)間：2021-06-15 16:19

　　使用第一性原理計(jì)算方法研究C/Si比對(duì)β-SiC的理想剪切強(qiáng)度的影響,建立化學(xué)計(jì)量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替換其中的Si原子,經(jīng)蒙特卡羅方法優(yōu)化得到非化學(xué)計(jì)量比下的SiC分子模型,這些晶體的C/Si比的變化范圍是1¹.52.每個(gè)模型樣品都沿[100]方向剪切,得到其剪切應(yīng)力應(yīng)變關(guān)系,最終了解C/Si比對(duì)SiC理想剪切強(qiáng)度的影響.計(jì)算結(jié)果表明,隨著C/Si比增加,SiC的理想強(qiáng)度總體上呈下降趨勢(shì).在剪切載荷逐漸增大情況下,晶體會(huì)在C團(tuán)簇周圍的C-C鍵或者C-Si鍵處斷裂.C原子的聚集,會(huì)使SiC的剪切強(qiáng)度減少,因?yàn)镃團(tuán)簇內(nèi)部存在應(yīng)變,而且C團(tuán)簇越大,SiC的剪切強(qiáng)度下降得越劇烈. 

【文章來(lái)源】：華中師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016,50(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
1 計(jì)算方法
2 計(jì)算結(jié)果
    2.1 化學(xué)計(jì)量比下SiC計(jì)算結(jié)果
    2.2 非化學(xué)計(jì)量比下SiC的計(jì)算結(jié)果
3 結(jié)果分析
    3.1 鍵長(zhǎng)分析
    3.2 C團(tuán)簇大小的影響
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]聚變堆結(jié)構(gòu)材料SiC/SiC的研究進(jìn)展[J]. 于海蛟,周新貴,張煒,王洪磊,趙爽,羅征.  材料導(dǎo)報(bào). 2009(23)



本文編號(hào)：3231384