使用第一性原理計算方法研究C/Si比對β-SiC的理想剪切強度的影響,建立化學計量比下理想β-SiC分子模型,用C原子替換其中的Si原子,經蒙特卡羅方法優(yōu)化得到非化學計量比下的SiC分子模型,這些晶體的C/Si比的變化范圍是1¹.52.每個模型樣品都沿[100]方向剪切,得到其剪切應力應變關系,最終了解C/Si比對SiC理想剪切強度的影響.計算結果表明,隨著C/Si比增加,SiC的理想強度總體上呈下降趨勢.在剪切載荷逐漸增大情況下,晶體會在C團簇周圍的C-C鍵或者C-Si鍵處斷裂.C原子的聚集,會使SiC的剪切強度減少,因為C團簇內部存在應變,而且C團簇越大,SiC的剪切強度下降得越劇烈. 

【文章來源】：華中師范大學學報(自然科學版). 2016,50(02)北大核心

【文章頁數】：6 頁

【文章目錄】：
1 計算方法
2 計算結果
    2.1 化學計量比下SiC計算結果
    2.2 非化學計量比下SiC的計算結果
3 結果分析
    3.1 鍵長分析
    3.2 C團簇大小的影響
4 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]聚變堆結構材料SiC/SiC的研究進展[J]. 于海蛟,周新貴,張煒,王洪磊,趙爽,羅征.  材料導報. 2009(23)



本文編號：3231384