本文關(guān)鍵詞：基于正交設(shè)計(jì)和灰色關(guān)聯(lián)的硅通孔互連結(jié)構(gòu)隨機(jī)振動(dòng)優(yōu)化設(shè)計(jì)　出處：《焊接學(xué)報(bào)》2016年07期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：建立了硅通孔(TSV,through silicon vias)互連結(jié)構(gòu)三維有限元分析模型,對(duì)該模型進(jìn)行了隨機(jī)振動(dòng)分析.以TSV互連結(jié)構(gòu)的最大等效應(yīng)力、最大等效應(yīng)變、一階固有頻率、二階固有頻率為目標(biāo)函數(shù),選取TSV高度、TSV直徑、微凸點(diǎn)高度和微凸點(diǎn)直徑四個(gè)結(jié)構(gòu)參數(shù)為設(shè)計(jì)變量進(jìn)行多目標(biāo)正交優(yōu)化設(shè)計(jì),結(jié)合灰色關(guān)聯(lián)分析法獲得了優(yōu)化設(shè)計(jì)的最優(yōu)參數(shù)組合,使TSV互連結(jié)構(gòu)的最大等效應(yīng)力降低4.59%,最大等效應(yīng)變降低22.56%,并且一階固有頻率增加了4.91%,二階固有頻率增加了4.46%.結(jié)果表明,可以將正交試驗(yàn)法與灰色關(guān)聯(lián)分析法相結(jié)合應(yīng)用于TSV互連結(jié)構(gòu)優(yōu)化設(shè)計(jì),對(duì)提高TSV互連結(jié)構(gòu)在隨機(jī)振動(dòng)條件下的綜合性能具有較高的實(shí)用性.
[Abstract]:A three-dimensional finite element analysis model for the via via silicon via silicon interconnect structure is established in this paper. The random vibration analysis of the model is carried out. The maximum equivalent stress, maximum equivalent strain, first order natural frequency and second order natural frequency of the TSV interconnection structure are taken as objective functions, and the TSV height is chosen. The four structural parameters of the microconvex point height and the microconvex point diameter are the design variables for the multi-objective orthogonal optimization design. The optimal parameter combination of the optimization design is obtained by combining the grey relational analysis method. The maximum equivalent stress and the maximum equivalent strain of the TSV interconnection structure are reduced by 4.59 and 22.56 respectively, and the first order natural frequency is increased by 4.91%. The second order natural frequency is increased by 4.46. The results show that the orthogonal test method and the grey correlation analysis method can be applied to the optimal design of TSV interconnection structure. It has high practicability for improving the comprehensive performance of TSV interconnection structure under random vibration condition.
【作者單位】： 桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院;成都航空職業(yè)技術(shù)學(xué)院電子工程系;桂林航天工業(yè)學(xué)院汽車與動(dòng)力工程系;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(51465012) 廣西壯族自治區(qū)自然科學(xué)基金(2015GXNSFCA139006;2013GXNSFAA019322) 四川省教育廳科研資助項(xiàng)目(13ZB0052)
【分類號(hào)】：O327
【正文快照】： 0序言隨著電子設(shè)備在機(jī)載、車載和移動(dòng)設(shè)備上越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,更多使用TSV互連技術(shù)的IC封裝器件在高溫、高濕和振動(dòng)等惡劣環(huán)境或特定條件下持續(xù)工作能力受到越來(lái)越廣泛的關(guān)注,而TSV器件在高溫、高濕和振動(dòng)等惡劣環(huán)境或特定條件下持續(xù)工作能力受到越來(lái)越廣泛的關(guān)注,而TSV互連

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本文編號(hào)：1401178