發(fā)布時間：2017-09-15 00:21

  本文關(guān)鍵詞：采用最優(yōu)化專有TCAD引擎加速DRAM存儲單元仿真

  更多相關(guān)文章： 存儲單元 TCAD 工藝步驟 現(xiàn)有設(shè)施 晶閘管 最優(yōu)化 代工廠 垂直分層 靜態(tài)特性 晶圓廠

【摘要】：正Kilopass研發(fā)出了一種全新的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor,VLT)SRAM單元,其特性可支持它作為DRAM存儲單元。這種存儲單元具有靜態(tài)特性,不需要進行刷新操作,這樣一來與傳統(tǒng)DRAM相比,極大地簡化了電路結(jié)構(gòu)。VLT存儲單元完全可由現(xiàn)有的材料與設(shè)備來制造。對目前的DRAM制造商來說,制造VLT時所需的所有工藝步驟都是制造傳統(tǒng)DRAM時所包含的步驟。其他代工廠可以根據(jù)現(xiàn)有設(shè)施和材料使用一些新的工藝步驟。
【作者單位】： Kilopass科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 存儲單元;TCAD;工藝步驟;現(xiàn)有設(shè)施;晶閘管;最優(yōu)化;代工廠;垂直分層;靜態(tài)特性;晶圓廠;
【分類號】：TP333
【正文快照】： Kilo pass研發(fā)出了一種全新的VLT存儲單元 預(yù)埋的字線可由DRAM晶圓加工垂直分層晶閘管(Vertical Layered VLT存儲單元由垂直分布的晶廠輕松實現(xiàn),因為傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)Thyristor,VLT)SRAM單元,其特閘管(又稱半導(dǎo)體控制整流器,或就使用了一條預(yù)埋的字線。這些特性性可支持它作為DR

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本文編號：853206