基于NVM的寫操作優(yōu)化策略研究與設(shè)計
本文關(guān)鍵詞:基于NVM的寫操作優(yōu)化策略研究與設(shè)計
更多相關(guān)文章: NVM MinFS 翻轉(zhuǎn) 移位 使用壽命
【摘要】:為了緩和CPU到主存再到外存的速度差異,現(xiàn)有的存儲架構(gòu)一直延續(xù)最初的分層架構(gòu):cache、主存和外存從高到低,速度也從快到慢,但是,伴隨著海量數(shù)據(jù)存儲與大規(guī)模并行計算的應(yīng)用場景越來越廣泛,存儲器性能亟待提升,無論是外存還是主存,從存儲結(jié)構(gòu)到存儲介質(zhì)都面臨著新興技術(shù)的挑戰(zhàn)。外存方面,以NandFlash作為存儲介質(zhì)的SSD (Solid State Disk)已經(jīng)取得了良好的戰(zhàn)績并在不斷提升性能擴大戰(zhàn)果;主存方面,生產(chǎn)領(lǐng)域不斷的研究新的工藝來提升DRAM的存儲密度,近幾年來效果不佳;學(xué)術(shù)領(lǐng)域則將目光轉(zhuǎn)向?qū)ふ倚碌拇鎯橘|(zhì)來替代傳統(tǒng)的DRAM。新興的非易失性存儲介質(zhì)NVM (Non-Volatile Memory,如PCM-相變存儲器[34]、STT-RAM-自旋存儲器、FeRAM-鐵電存儲器等)具有很多吸引人的特性,如掉電非易失、高密度、可字節(jié)尋址、高抗沖擊性、低能耗和出色的可擴展性。此外,NVM相比DRAM有著極低的空閑能耗而存儲密度更高。因此,NVM越來越流行,在眾多系統(tǒng)中都紛紛采用,它不僅可以作為輔存,也可以作為嵌入式系統(tǒng)的主存,而且有大量的技術(shù)已經(jīng)提出利用NVM取代傳統(tǒng)的DRAM作為計算機主存。但是,NVM自身也有著兩個明顯的缺陷:1)NVM的寫入/擦除周期數(shù)量有限(例如,相變存儲器-PCM周期數(shù)只有109次);2)NVM需要更長的寫操作時間和更高的寫操作能耗(例如,PCM的讀操作時間為50ns,而寫操作時間為200ns)。如果能夠針對這些問題找到解決辦法,對于NVM的推廣將起著至關(guān)重要的影響。為了解決這些問題,大量的研究工作致力于減少NVM的寫操作,但是大多數(shù)技術(shù)在減少寫操作的同時也增加了可觀的額外消耗,在本文中,我們提出了MinFS,一種利用增加比特翻轉(zhuǎn)標(biāo)記和移位標(biāo)記來最小化更新比特位數(shù)的NVM寫策略。類似Flip-N-Write和Min-Shift,每個NVM寫單元有一個額外的比特位翻轉(zhuǎn)標(biāo)志來記錄該單元的相關(guān)的數(shù)據(jù)是否經(jīng)過了翻轉(zhuǎn)操作和幾個移位標(biāo)志來記錄數(shù)據(jù)循環(huán)右移的位數(shù)。當(dāng)一個寫請求到達(dá)時,該MinFS策略首先計算新數(shù)據(jù)對應(yīng)的所有可能的編碼數(shù)據(jù)和讀取舊的數(shù)據(jù)。然后,MinFS計算所有的編碼數(shù)據(jù)和舊數(shù)據(jù)之間的海明距離,其中包括所使用的翻轉(zhuǎn)標(biāo)記位和移位標(biāo)記位。擁有最小海明距離的編碼數(shù)據(jù)被選為最優(yōu)結(jié)果寫入NVM單元。該方案可以找到所有要寫數(shù)據(jù)和原始數(shù)據(jù)之間的最小距離以達(dá)到最大程度的減少更新的數(shù)據(jù)位數(shù)。MinFS通過付出讀取、計算和比較的成本來找到擁有最少更新數(shù)據(jù)位的編碼數(shù)據(jù)。我們開發(fā)了一個以跟蹤數(shù)據(jù)文件為驅(qū)動的工具來評估我們提出的方案,我們使用了隨機數(shù)據(jù)和基準(zhǔn)程序兩組實例。實驗結(jié)果表明,MinFS方案相比Flip-N-Write和Min-Shift在平均更新數(shù)據(jù)位方面分別降低了8.2%和5.7%。本篇論文從優(yōu)化編碼方式的角度出發(fā)提出了一種延長NVM使用壽命的策略,對于NVM的推廣有著重要的現(xiàn)實意義,對于以后相關(guān)領(lǐng)域的理論研究有著借鑒意義。
【關(guān)鍵詞】:NVM MinFS 翻轉(zhuǎn) 移位 使用壽命
【學(xué)位授予單位】:山東大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TP333
【目錄】:
- 摘要8-10
- ABSTRACT10-12
- 第1章 緒論12-19
- 1.1 背景介紹12-13
- 1.2 研究現(xiàn)狀13-17
- 1.2.1 NVM做輔存研究13-14
- 1.2.2 NVM做主存研究14-17
- 1.3 研究意義17
- 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)17-19
- 第2章 基于NVM主存的性能優(yōu)化19-28
- 2.1 基于NVM的主存架構(gòu)19-20
- 2.2 NVM性能優(yōu)化策略介紹20-25
- 2.2.1 基于NVM組織架構(gòu)的優(yōu)化20-21
- 2.2.2 通過寫操作的特性21-22
- 2.2.3 通過對寫入數(shù)據(jù)的重新編碼22-24
- 2.2.4 通過糾錯機制24-25
- 2.3 延長NVM使用周期策略25-26
- 2.3.1 混合式主存管理25-26
- 2.3.2 延遲回寫策略26
- 2.3.3 行級回寫策略26
- 2.4 小結(jié)26-28
- 第3章 MinFS策略28-40
- 3.1 MinFS策略主要思想28-29
- 3.2 算法介紹29-31
- 3.3 實例分析31-32
- 3.4 字長對翻轉(zhuǎn)位數(shù)的影響32-33
- 3.5 性能分析及對比33-36
- 3.5.1 翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)實例對比33-34
- 3.5.2 翻轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)理論對比34-35
- 3.5.3 開銷分析35-36
- 3.6 硬件實現(xiàn)36-37
- 3.7 MinFS策略擴展37-39
- 3.7.1 PCM特性簡介37
- 3.7.2 MinFS加快PCM寫操作37-39
- 3.7.3 MinFS優(yōu)化PCM寫能耗39
- 3.8 小結(jié)39-40
- 第4章 實驗數(shù)據(jù)40-50
- 4.1 實驗設(shè)置40-41
- 4.2 C#模擬器及內(nèi)部實現(xiàn)41-46
- 4.3 翻轉(zhuǎn)位數(shù)對比46-48
- 4.4 寫操作時間對比48-49
- 4.5 小結(jié)49-50
- 第5章 總結(jié)與展望50-52
- 5.1 總結(jié)50-51
- 5.2 課題展望51-52
- 參考文獻(xiàn)52-57
- 致謝57-58
- 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的主要學(xué)術(shù)論文58-59
- 學(xué)位論文評閱及答辯情況表59
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