發(fā)布時間：2017-08-01 12:20

  本文關(guān)鍵詞：長壽命星載NAND Flash自適應(yīng)壞塊管理策略

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【摘要】：針對長期在軌運行設(shè)備的存儲可靠性問題,提出了一種自適應(yīng)壞塊管理策略。首先對星載NAND Flash存儲系統(tǒng)建立馬爾可夫可靠性模型,其次根據(jù)使用情況預(yù)估設(shè)備產(chǎn)生的壞塊數(shù)量,并設(shè)置數(shù)據(jù)存儲空間的大小;然后根據(jù)設(shè)備實際在軌壞塊數(shù)量動態(tài)調(diào)整數(shù)據(jù)存儲空間,在確保一定時間內(nèi)有穩(wěn)定的存儲空間的基礎(chǔ)上保持較高的空間利用率;最后對自適應(yīng)壞塊管理策略進(jìn)行了仿真分析。結(jié)果表明,在某一寫入速率下,該自適應(yīng)壞塊管理策略的空間利用率不低于85%。
【作者單位】： 中國科學(xué)院光電研究院;中國科學(xué)院大學(xué);
【關(guān)鍵詞】： 星載存儲器 NAND Flash 自適應(yīng) 壞塊管理 馬爾可夫
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1　引言NAND　Flash由于擁有高存儲密度、低功耗、低成本、高數(shù)據(jù)吞吐量等優(yōu)點而廣泛用作大容量存儲器件[1]。為保證存儲數(shù)據(jù)的可靠性,使用時必須考慮壞塊的處理方法。文獻(xiàn)[2]提出跳過壞塊法,即構(gòu)建映射表的邏輯地址和物理地址一一對應(yīng)。文獻(xiàn)[3,4]提出映射表只存儲標(biāo)志為好塊

【相似文獻(xiàn)】

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本文編號：604212