本文關鍵詞：長壽命星載NAND Flash自適應壞塊管理策略

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【摘要】：針對長期在軌運行設備的存儲可靠性問題,提出了一種自適應壞塊管理策略。首先對星載NAND Flash存儲系統(tǒng)建立馬爾可夫可靠性模型,其次根據(jù)使用情況預估設備產(chǎn)生的壞塊數(shù)量,并設置數(shù)據(jù)存儲空間的大小;然后根據(jù)設備實際在軌壞塊數(shù)量動態(tài)調(diào)整數(shù)據(jù)存儲空間,在確保一定時間內(nèi)有穩(wěn)定的存儲空間的基礎上保持較高的空間利用率;最后對自適應壞塊管理策略進行了仿真分析。結果表明,在某一寫入速率下,該自適應壞塊管理策略的空間利用率不低于85%。
【作者單位】： 中國科學院光電研究院;中國科學院大學;
【關鍵詞】： 星載存儲器 NAND Flash 自適應 壞塊管理 馬爾可夫
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1　引言NAND　Flash由于擁有高存儲密度、低功耗、低成本、高數(shù)據(jù)吞吐量等優(yōu)點而廣泛用作大容量存儲器件[1]。為保證存儲數(shù)據(jù)的可靠性,使用時必須考慮壞塊的處理方法。文獻[2]提出跳過壞塊法,即構建映射表的邏輯地址和物理地址一一對應。文獻[3,4]提出映射表只存儲標志為好塊

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