浮柵型存儲(chǔ)器是非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品。隨著微電子集成度不斷提高,半導(dǎo)體器件特征尺寸日益小型化。當(dāng)技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入22nm代以后,浮柵型存儲(chǔ)技術(shù)將趨近其物理極限。尋找一種新型的與半導(dǎo)體工藝兼容的非易失性存儲(chǔ)器,成為當(dāng)今存儲(chǔ)器領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)。電荷俘獲型存儲(chǔ)器具有同半導(dǎo)體工藝相兼容、操作電壓低、功耗低和抗疲勞性能好等優(yōu)良特性,是一種極具應(yīng)用前景的新型非易失性存儲(chǔ)器,而其中的金屬納米晶存儲(chǔ)器由于具有超高的存儲(chǔ)密度、選擇功函數(shù)范圍寬、無多維載流子限制效應(yīng)等一系列獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),受到業(yè)界廣泛地關(guān)注。 金屬納米晶存儲(chǔ)器基本結(jié)構(gòu)單元為：半導(dǎo)體襯底\隧穿層\金屬納米晶存儲(chǔ)層\阻擋層＼柵電極。目前,金屬納米晶存儲(chǔ)層的主要制備方法是高溫?zé)嵬嘶?存在著可控性和重復(fù)性差等缺點(diǎn)。探索分布均一、制備工藝可靠的納米晶沉積技術(shù),仍是亟待解決的問題。另外,納米晶存儲(chǔ)器中隧穿層和阻擋層材料的選擇和高質(zhì)量制備也很重要。 原子層沉積(Atomic layer deposition, ALD)技術(shù)是基于前驅(qū)體在襯底表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)的一種新型薄膜沉積技術(shù),其自限制性與自飽和性保證了沉積的大面積均勻性和三維貼合性(Conf...

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圖1-3磁阻變化示意圖

來實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)、通過磁阻效應(yīng)讀取數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器[9]。磁存儲(chǔ)單元的基本結(jié)構(gòu)是兩層磁性材料插入一層絕緣層。如圖1-3所示，當(dāng)兩層磁性材料的磁化方向相平行時(shí)，電子容易隨穿過絕緣層，表現(xiàn)為低阻態(tài)；反之，當(dāng)兩層磁性材料的磁化方向反平行時(shí)，電子很難隨穿過絕緣層，表現(xiàn)為高阻態(tài)。磁存儲(chǔ)器....

圖1-4單極型(a)和雙極型(b)阻變存儲(chǔ)器的I-V特性曲線

又可以分成單極型器件與雙極型器件[16’17]?如圖l-4(a)所示，單低阻態(tài)之間的相互轉(zhuǎn)變并不依賴外加電壓信號(hào)的正負(fù)。雙極型存儲(chǔ)器由壓信號(hào)使器件由高阻態(tài)轉(zhuǎn)變成低阻態(tài)，那么此時(shí)需施加負(fù)向/正向的電低阻態(tài)轉(zhuǎn)變成高阻態(tài)，如圖l-4(b)所示。

圖1-5浮柵型存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)

浮柵型存儲(chǔ)器中的浮柵層具有存儲(chǔ)電荷的能力，通過對(duì)浮柵層實(shí)現(xiàn)寫入或者擦除電荷的操作使其處于不同的存儲(chǔ)狀態(tài)。圖1-5是浮柵型存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)，包括暖穿層、浮柵層和阻擋層。暖穿層是分隔半導(dǎo)體襯底和浮柵層的介電層，一般是高質(zhì)量的氧化物。當(dāng)柵電極施加足夠大的正電壓時(shí)，半導(dǎo)體襯底中的電子寫入....

圖1-6NOR與NAND存儲(chǔ)器斷面結(jié)構(gòu)與電路示意圖[3】

圖1-6NOR與NAND存儲(chǔ)器斷面結(jié)構(gòu)與電路示意圖[3】1.2電荷俘莰型存儲(chǔ)器及其工作機(jī)制與可靠性1.2.1電荷俘莰型存儲(chǔ)器

本文編號(hào)：4044973