發(fā)布時間：2024-11-02 18:53

　　隨著科技的快速發(fā)展,對集成電路芯片性能的要求也越來越高,然而目前主流存儲器性能的提升跟不上主流CPU（Central Processing Unit）的性能提升速度,制約了芯片的整體速度水平。SRAM（Static Random-Access Memory）作為主流高速緩存,對其進行研究有助于消除兩者差距。本文從實際應用出發(fā),分別在存儲單元、譯碼電路以及靈敏放大器三個方面對高速SRAM進行研究。對存儲單元尺寸進行研究,分析了不同單元比和上拉比對存儲單元性能的影響。對譯碼電路進行研究,利用實驗設計方法證明了3/3兩級譯碼作為此次譯碼方式的優(yōu)越性,并通過邏輯努力優(yōu)化方法,對譯碼電路各級尺寸進一步優(yōu)化,顯著提升了譯碼效率。對SA（Sense Amplifier）使能產(chǎn)生方式進行研究,針對因設計裕量不足或過大引起的放大失敗或是高能耗問題,提出了一款結合復制存儲單元模擬位線和字線延時和具有反饋結構的新型SA,使SA在最佳時刻開啟和關閉,有效的提升了SRAM的穩(wěn)定性和放大效率。本文主要成果如下:（1）針對存儲單元設計存在的讀寫失敗問題,通過Cadence公司的Virtuoso軟件搭建實驗電路,分析了...

【文章頁數(shù)】：84 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1CPU與存儲器發(fā)展不協(xié)調(diào)所產(chǎn)生的存儲墻現(xiàn)象示意圖C(SystemonChip)作為更優(yōu)的芯片設計方案，已被廣大芯作為SOC的一個重要組成部分[2],它在SOC中所占比重出，SRAM在SOC中所占的比重在逐年增大，從1999%，增長了近五成。隨著....

西安電子科技大學碩士學位論文2圖1.2歷年來SRAM占SOC面積比重圖1.2國內(nèi)外研究現(xiàn)狀在一個完整的集成電路產(chǎn)品中，無論是子芯片之間的信息交互還是對數(shù)據(jù)的存儲，都離不開存儲器。自存儲器誕生之日起，人們就從未停止過對存儲領域的探索。而國內(nèi)外研究者主要針對SRAM....

圖1.3DG-MOSFET結構圖年Synopsys公司的VinayKumar，RavindraKumarShrivastava以adaliya三人共同提出了一種基于7nmFin-FET工藝，使用溫控、高密度、低最小工作電壓的六管SRAM存儲單元[7....

圖1.3DG-MOSFET結構圖2018年Synopsys公司的VinayKumar，RavindraKumarShrivastava以及MadhavMansukhPadaliya三人共同提出了一種基于7nmFin-FET工藝，使用溫控讀輔助電路....

本文編號：4009977