本文使用镅-241作為α粒子放射源,開展65和90 nm靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器軟錯(cuò)誤機(jī)理研究,結(jié)合反向分析、TRIM和CREME-MC蒙特卡羅仿真揭示α粒子在器件中的能量輸運(yùn)過程、沉積能量譜和截面特性.結(jié)果表明, 65 nm器件的軟錯(cuò)誤敏感性遠(yuǎn)高于90 nm器件,未發(fā)現(xiàn)翻轉(zhuǎn)極性.根據(jù)西藏羊八井地區(qū)4300 m海拔的實(shí)時(shí)測量軟錯(cuò)誤率、熱中子敏感性和α粒子軟錯(cuò)誤率,演算得到65 nm靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器在北京海平面應(yīng)用的總體軟錯(cuò)誤率為429 FIT/Mb,其中α粒子的貢獻(xiàn)占比為70.63%.基于反向分析結(jié)果構(gòu)建器件三維仿真模型,研究α粒子入射角度對單粒子翻轉(zhuǎn)特性的影響,發(fā)現(xiàn)隨著入射角度從0°增大至60°,靈敏區(qū)中粒子數(shù)峰值處對應(yīng)的沉積能量值減小了40%,原因?yàn)樗プ儲亮Ｗ拥哪芰枯^低,入射角度增大導(dǎo)致α粒子穿過空氣層和多層金屬布線的厚度增大1/cos(q)倍,引起粒子能量減小,有效LET值隨之減小.隨著入射角度從0°增大至60°,單粒子翻轉(zhuǎn)截面增大了79%,原因?yàn)?5 nm器件靈敏區(qū)中明顯的單粒子翻轉(zhuǎn)邊緣效應(yīng).

【文章頁數(shù)】：9 頁


本文編號：3932879