信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展至今已經(jīng)進(jìn)入真正的大數(shù)據(jù)時(shí)代,通信網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、高端電子設(shè)備等每一天都在進(jìn)行著數(shù)據(jù)的更迭,儲(chǔ)存和處理。這一切都離不開(kāi)存儲(chǔ)器性能的提升。存儲(chǔ)器技術(shù)中最成熟的硅基的閃存存儲(chǔ)器由于其自身尺寸限制,已經(jīng)無(wú)法繼續(xù)滿(mǎn)足大數(shù)據(jù)增長(zhǎng)的需求。因此多種新型存儲(chǔ)器相繼誕生,其中非易失性阻變式隨機(jī)存儲(chǔ)器(RRAM)憑借自身微縮潛力大,存儲(chǔ)密度高,轉(zhuǎn)換速度快,功耗低等特性成為了人們密切關(guān)注的目標(biāo)。RRAM基本存儲(chǔ)單元具有導(dǎo)體/阻變層/導(dǎo)體這樣的結(jié)構(gòu),其中阻變層是整個(gè)器件的核心,在外電路的電壓作用下它自身阻態(tài)會(huì)發(fā)生高低轉(zhuǎn)變。但是由于阻變材料種類(lèi)繁多,電極活性程度不同,這共同導(dǎo)致RRAM器件的工作機(jī)理尚未得到公認(rèn)的結(jié)論。因此,探究清楚不同阻變層所對(duì)應(yīng)的阻變行為和機(jī)制十分重要。除此以外,二維材料發(fā)展迅猛,石墨烯(GO)及其衍生物更是是其中的明星材料,它們展現(xiàn)出優(yōu)質(zhì)的電學(xué)性質(zhì),具有作為阻變層材料的巨大潛質(zhì),因此對(duì)于氧化石墨烯基阻變存儲(chǔ)器的研究就顯得尤為重要。RRAM工作原理,即普遍認(rèn)為細(xì)絲理論,是由于電場(chǎng)作用下離子遷移形成導(dǎo)電通道形成與斷裂所致。因此,本論文主要從兩個(gè)角度調(diào)控場(chǎng)強(qiáng)誘導(dǎo)離子遷移的動(dòng)力學(xué)過(guò)程,以...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1閃存器件工作原理圖

設(shè)備中的主要組成部件之一，在一個(gè)設(shè)備中作為記息，與此同時(shí)存儲(chǔ)器還要為其他部件提供信息，同存儲(chǔ)器存儲(chǔ)信息后斷電是否會(huì)引起信息的丟失，存儲(chǔ)器。我們常說(shuō)的電腦內(nèi)存便是易失性存儲(chǔ)器的典主要負(fù)責(zé)直接記錄CPU使用的程序和數(shù)據(jù)，CPU存通常由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成，它的特點(diǎn)是速度快，宜長(zhǎng)時(shí)間地....

圖1.2鐵電式存儲(chǔ)器工作原理圖

間加一個(gè)電壓時(shí)，在氧化層中會(huì)建立一個(gè)電場(chǎng)，當(dāng)氧化層中電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到10MV/cm，且氧化層厚度較小(0.01μm以下)時(shí)，電子將發(fā)生直接隧穿效應(yīng)，穿過(guò)氧化層中勢(shì)壘注入到浮柵。拉出電子時(shí)，在控制柵極上加上負(fù)電壓，或在源/漏加正電壓，存儲(chǔ)電子通過(guò)隧穿離開(kāi)到襯底。但是隨著數(shù)據(jù)大爆炸時(shí)....

圖1.3鐵電存儲(chǔ)器的電滯回線(xiàn)

圖1.3鐵電存儲(chǔ)器的電滯回線(xiàn)[9]磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)圖1.4所示為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中磁隧道結(jié)(MTJ)是存儲(chǔ)的核心部位，MTJ由固定磁層，薄絕緣隧道隔離層和自由磁層三層結(jié)電子會(huì)被外加偏壓....

圖1.4磁性存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)圖

圖1.3鐵電存儲(chǔ)器的電滯回線(xiàn)[9](MagneticRandomAccessMemory,MR性隨機(jī)存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)示意圖，其中磁隧MTJ由固定磁層，薄絕緣隧道隔離層和壓極化從而遂穿隔離層。自由層磁矩方向時(shí)，我們看到MTJ層展現(xiàn)出低阻狀態(tài)。阻態(tài)來(lái)代表“0”和“1”兩....

本文編號(hào)：3915520