隨著Flash存儲(chǔ)器在航天系統(tǒng)中的大量應(yīng)用,其單粒子效應(yīng)評(píng)價(jià)至關(guān)重要。首先綜述了Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)研究進(jìn)展,總結(jié)出在重離子輻照實(shí)驗(yàn)中常見單粒子效應(yīng)及其故障原因,包括由存儲(chǔ)單元故障和外圍電路故障造成的單粒子翻轉(zhuǎn)、單粒子功能中斷和單粒子閉鎖。隨后,歸納出常見單粒子效應(yīng)的測(cè)試區(qū)分方法、測(cè)試算法和測(cè)試流程,為相關(guān)測(cè)試實(shí)驗(yàn)研究提供參考。 

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

某型NAND Flash功能模塊結(jié)構(gòu)[3]

電荷泵失效時(shí)的熱像圖[9]

3-D浮柵單元結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]NAND Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)試驗(yàn)研究[J]. 曹洲,薛玉雄,高欣,安恒,張晨光.  空間電子技術(shù). 2019(03)

博士論文
[1]Flash存儲(chǔ)器單粒子效應(yīng)及與總劑量的協(xié)同效應(yīng)研究[D]. 殷亞楠.中國科學(xué)院大學(xué)(中國科學(xué)院近代物理研究所) 2018

碩士論文
[1]單粒子效應(yīng)電路模擬方法研究[D]. 劉征.國防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2006



本文編號(hào)：3692442