隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來,海量的信息對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件提出了越來越高的要求,也使得當(dāng)前的信息存儲(chǔ)技術(shù)面臨著諸多挑戰(zhàn)。因此,如何能更高效更大容量地存儲(chǔ)信息顯得尤為重要。相比于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體隨機(jī)存儲(chǔ)器,近年來逐步發(fā)展起來的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）因其具有非易失性、高密度、高穩(wěn)定性、低功耗、抗輻射等優(yōu)點(diǎn)有望成為下一代信息存儲(chǔ)器的候選者。在MRAM的研究當(dāng)中,最具有發(fā)展?jié)摿Φ氖且宰孕壍谰兀⊿pin-orbit torque）作為驅(qū)動(dòng)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)（SOT-MRAM）。它主要是在重金屬/鐵磁金屬垂直磁化薄膜結(jié)構(gòu)中,利用重金屬的強(qiáng)自旋軌道耦合作用,通過自旋霍爾效應(yīng)或/和界面的Rashba效應(yīng)將電荷流轉(zhuǎn)化為純自旋流或界面的自旋積累注入到毗鄰的磁性層,進(jìn)而對(duì)磁性層的磁矩施加自旋軌道力矩的作用實(shí)現(xiàn)磁矩的翻轉(zhuǎn)。目前,基于自旋軌道矩的研究主要集中在調(diào)控磁矩的翻轉(zhuǎn)、驅(qū)動(dòng)手性磁疇壁的運(yùn)動(dòng)、激發(fā)高頻的磁振蕩以及驅(qū)動(dòng)磁斯格明子的運(yùn)動(dòng)等方面。其中,更高效更快速地驅(qū)動(dòng)磁矩翻轉(zhuǎn)和手性磁疇壁運(yùn)動(dòng)是研究的重點(diǎn)。因此在本論文的工作中,主要研究了垂直磁化異質(zhì)結(jié)中電流驅(qū)動(dòng)磁矩翻轉(zhuǎn)的機(jī)理和磁疇壁運(yùn)動(dòng)的規(guī)律,具體內(nèi)容如下:第一,重點(diǎn)研究了垂... 

【文章來源】：蘭州大學(xué)甘肅省211工程院校985工程院校教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：115 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

（a）硬盤[24]

圖 1.2（a）自旋轉(zhuǎn)移矩驅(qū)動(dòng)磁化強(qiáng)度進(jìn)動(dòng)的示意圖[30]。（b）自旋極化電流驅(qū)動(dòng)磁矩翻轉(zhuǎn)的圖示。().2PsFeffeMtJPdtddtdMMMMMHMM （1.1

圖 1.3 平面式 iSTT-MRAM 存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)圖[32]。AM 存儲(chǔ)單元在對(duì)信息進(jìn)行寫入操作時(shí)就是依靠自旋來完成的。從最初磁矩水平排列的平面式 STT-MRAM（式 STT-MRAM（pSTT-MRAM）的出現(xiàn)，STT-MRA來滿足實(shí)際高存儲(chǔ)密度的需求。從 2005 年，SONY 公

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]磁性斯格明子:前景與挑戰(zhàn)[J]. 丁海峰,繆冰鋒,Kirsten von Bergmann.  物理. 2017(05)
[2]巨磁電阻效應(yīng)及其應(yīng)用和發(fā)展[J]. 劉要穩(wěn).  科學(xué). 2008(04)



本文編號(hào)：3627912