目前,我國(guó)正在大規(guī)模地投入進(jìn)行高端容錯(cuò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的研制。高端容錯(cuò)計(jì)算機(jī)除具有高性能、極強(qiáng)的事務(wù)處理能力外,還要保證具有極高的可用性,可以長(zhǎng)期提供高速、穩(wěn)定的服務(wù)。因此,在保證系統(tǒng)的高性能事務(wù)處理能力的前提下,系統(tǒng)容錯(cuò)設(shè)計(jì)策略、容錯(cuò)機(jī)制的有效性至關(guān)重要,是保證系統(tǒng)可用性的前提條件,必須經(jīng)過(guò)評(píng)測(cè)得到驗(yàn)證。故障注入是評(píng)測(cè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)容錯(cuò)機(jī)制的最有效方法。然而,傳統(tǒng)的管腳級(jí)硬件故障注入工具通常只針對(duì)低速的或?qū)Ｓ玫挠?jì)算機(jī)系統(tǒng),顯然已經(jīng)不能適應(yīng)高速的、通用的高端容錯(cuò)計(jì)算機(jī)。因此,面向高性能的高速故障注入工具必須得到研究,為高端容錯(cuò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)提供評(píng)測(cè)服務(wù)。針對(duì)傳統(tǒng)管腳級(jí)硬件故障注入工具的缺點(diǎn)及高端容錯(cuò)服務(wù)器可用性評(píng)測(cè)的要求,本文首先探討了截獲高速DDR2內(nèi)存數(shù)據(jù)的關(guān)鍵技術(shù),并基于這些關(guān)鍵技術(shù)嘗試設(shè)計(jì)并仿真驗(yàn)證了一款DDR2內(nèi)存故障注入工具。該DDR2內(nèi)存故障注入工具通用性較好,可以針對(duì)眾多使用DDR2內(nèi)存的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行故障注入試驗(yàn);同時(shí),在試驗(yàn)的過(guò)程中不必降低目標(biāo)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的運(yùn)行速度。該DDR2內(nèi)存故障注入工具可以對(duì)數(shù)據(jù)總線注入固定0、固定1、翻轉(zhuǎn)等多種類型故障,可以通過(guò)設(shè)置多個(gè)時(shí)間參數(shù)來(lái)模擬永久故... 

【文章來(lái)源】：哈爾濱工業(yè)大學(xué)黑龍江省 211工程院校 985工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

故障注入技術(shù)的分類硬件實(shí)現(xiàn)的故障注入和軟件實(shí)現(xiàn)的故障注入在不發(fā)生混淆的情況下，也可

圖 2-4 DDR2 內(nèi)存各DR2 內(nèi)存的控制命令與狀態(tài)R2 內(nèi)存的管腳主要可以分電源/接地線，共四類。控制信號(hào)線單向傳輸，AS、CS、WE、A10。這 5 個(gè)控制信具體如表 2-2 所示。表 2-2 DDR2 內(nèi)存的主名稱 功能 d) Mode Register Set 設(shè)置(擴(kuò)展)模式寄存Bank Active 打開(kāi)一個(gè) Bank Write 寫 ith Auto Precharge 帶自動(dòng)預(yù)充電的寫Read 讀 ith Auto Precharge 帶自動(dòng)預(yù)充電的讀

圖 2-5 簡(jiǎn)化的 DDR2 狀態(tài)圖2.3.3 DDR2 內(nèi)存的主要時(shí)序?qū)τ?DDR2 內(nèi)存來(lái)說(shuō)，進(jìn)行任何讀或?qū)懖僮髦�，必須使�?Bank Active命令并給出行地址將指定的行打開(kāi)，并經(jīng)過(guò)時(shí)間 tRCD 后才可以發(fā)送 READ 或WRITE 操作，如圖 2-6 所示。任意兩個(gè) Bank Active 命令之間必須至少間隔時(shí)- 17 -


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