阻變存儲器（RRAM）是下一代最有潛力的非易失性存儲器。利用磁控濺射、電子束蒸發(fā)和離子束濺射方法制備了一種Ag/VO_x/Al結構的RRAM。使用半導體參數(shù)分析儀（Agilent B1500A）測試了器件的電學特性,器件具有雙極阻變特性。器件的高阻態(tài)的傳輸機制為空間電荷限制電流（SCLC）機制,低阻態(tài)的傳輸機制為歐姆機制,器件的阻變機制為金屬導電細絲機制。研究了不同退火溫度（150³00℃）對Ag/VO_x/Al器件阻變性能的影響。研究表明,不同退火溫度不僅會影響VO_x薄膜的表面形貌與晶面組成,而且會影響器件的電學性能,在退火溫度為200℃時器件的阻變窗口最大,而在300℃時器件的耐久性最優(yōu)秀。適當?shù)耐嘶饻囟扔幸嬗诟纳破骷淖枳冃阅堋?nbsp;

【文章來源】：微納電子技術. 2017,54(06)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結果與討論
3 結論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]Modeling of conducting bridge evolution in bipolar vanadium oxide-based resistive switching memory[J]. 張楷亮,劉凱,王芳,尹富紅,韋曉瑩,趙金石.  Chinese Physics B. 2013(09)
[2]Analysis of the resistive switching behaviors of vanadium oxide thin film[J]. 韋曉瑩,胡明,張楷亮,王芳,趙金石,苗銀萍.  Chinese Physics B. 2013(03)



本文編號：3341695