現(xiàn)代處理器性能以60%的年增長率飛速發(fā)展,相比之下,處于不同工藝下的DRAM的時(shí)滯和帶寬的改進(jìn)卻分別只有7%和15～20%;因此,存儲(chǔ)器性能已經(jīng)成為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能提升的瓶頸。同時(shí),隨著集成電路設(shè)計(jì)已經(jīng)進(jìn)入深亞微米時(shí)代,集成度不斷增強(qiáng),各種便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展使得功耗問題日益受到設(shè)計(jì)人員的重視——事實(shí)上系統(tǒng)中絕大多數(shù)功耗是由存儲(chǔ)器而非處理器消耗掉,而DRAM則又是占用了存儲(chǔ)器消耗中的主要部分。 本文從研究現(xiàn)代DRAM技術(shù)入手,分析了各種存儲(chǔ)器訪問調(diào)度算法的特點(diǎn)與適用性,著眼于SDR-SDRAM技術(shù),并結(jié)合了新型AMBA AXI總線的可重排序等特性,提出一種存儲(chǔ)器訪問動(dòng)態(tài)調(diào)度器（DSAS）,最終將之實(shí)現(xiàn)為AXI總線上的存儲(chǔ)器控制器。擁有DSAS的AXI SDRAM控制器,能夠?qū)XI總線上傳來的地址和數(shù)據(jù)首先進(jìn)優(yōu)先級分類,并根據(jù)所存儲(chǔ)的之前已訪問的信息、目前正在進(jìn)行以及即將進(jìn)行的訪問信息,動(dòng)態(tài)地調(diào)度SDRAM的存取,改變SDRAM的Precharge策略,從而減少SDRAM中費(fèi)時(shí)比較長的Precharge時(shí)間,有利于提高總線的吞吐率;與此同時(shí),盡量地減少了active bank的總體... 

【文章來源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

典型嵌入式SoC架構(gòu)

EnoDRAM和FPMDRAM的比較

典型noRsD隊(duì)MPerch雌eAnerBusrt既An操作[21


本文編號：3084368