電感耦合通道傳輸協(xié)議及控制接口的研究與設(shè)計(jì)
發(fā)布時(shí)間:2021-01-04 02:16
電感耦合無(wú)線互聯(lián)三維堆疊封裝方式是一種純物理的提高電路集成度的方式。當(dāng)這種電感耦合無(wú)線互聯(lián)的方式應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)器時(shí),可以進(jìn)一步增加存儲(chǔ)器的容量,減少芯片面積。但是,應(yīng)用于大容量存儲(chǔ)器的電感耦合無(wú)線互聯(lián)的研究處于初始階段,沒(méi)有專用的接口用于傳輸與控制,因此需要為其設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單易行的傳輸協(xié)議與接口,以利于其在大容量存儲(chǔ)器中的應(yīng)用。本文從電感耦合通道傳輸?shù)奶厥庑苑矫嫒胧?針對(duì)電感通道傳輸信號(hào)所必須解決的兩個(gè)問(wèn)題提出簡(jiǎn)單有效的傳輸協(xié)議;诖藗鬏攨f(xié)議,設(shè)計(jì)出相應(yīng)的存儲(chǔ)器串行傳輸接口。接口利用半即時(shí)傳輸?shù)乃枷?提高通道傳輸利用率,且通過(guò)自動(dòng)復(fù)位的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)芯片無(wú)外接復(fù)位線的效果,節(jié)約芯片面積。另外,本文在此基礎(chǔ)上針對(duì)flash memory這一具體存儲(chǔ)器進(jìn)行了串行傳輸接口的詳細(xì)設(shè)計(jì)。本文設(shè)計(jì)的串行傳輸接口利用Modelsim進(jìn)行了系統(tǒng)仿真,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,傳輸協(xié)議能夠簡(jiǎn)單快速地完成電感通道的鋪設(shè);傳輸接口能夠正確快速地傳輸外界送入芯片內(nèi)信號(hào),并可以為存儲(chǔ)器存取提供正確信號(hào)。
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:57 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不帶電磁屏蔽罩的電感耦合無(wú)線互聯(lián)的堆疊方式
其基本的原理就是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載。下面就來(lái)介紹一下電感耦合無(wú)線互聯(lián)是如何實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載的。如圖2.4所示,正四邊形為收發(fā)器模塊里的電感線圈,內(nèi)電感線圈為發(fā)射線圈,外電感線圈為接收線圈,RX代表是接收電路,TX是發(fā)射電路。如圖2.4左方所示,上傳數(shù)據(jù)是將底層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關(guān)閉,上層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感關(guān)閉接收電感開啟,這樣就形成了上傳數(shù)據(jù)通道;如圖2.4右方所示,下載數(shù)據(jù)是將底層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感關(guān)閉接收電感開啟,上層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關(guān)閉,這樣就形成了下載數(shù)據(jù)通道。要注意的是同一個(gè)收發(fā)器模塊的接收和發(fā)射電感不能同時(shí)開啟
處于此狀態(tài)時(shí),能夠態(tài),是指芯片處于此電感通道中信號(hào)送入翻轉(zhuǎn),且只能接收復(fù) 3.1 所示:首先由控,存儲(chǔ)片 1 接到“01的“01,11,10,00”為通道狀態(tài),然后發(fā)位指令后狀態(tài)由初始;存儲(chǔ)片 4 接到“10的 00 將整個(gè)通道的態(tài)的狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術(shù)[J]. 郎鵬,高志方,牛艷紅. 電子工藝技術(shù). 2009(06)
[2]三維封裝中引線鍵合技術(shù)的實(shí)現(xiàn)與可靠性[J]. 陸裕東,何小琦,恩云飛. 微電子學(xué). 2009(05)
[3]三維(3-D)封裝技術(shù)[J]. 何金奇. 微電子技術(shù). 2001(04)
本文編號(hào):2955945
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:57 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
不帶電磁屏蔽罩的電感耦合無(wú)線互聯(lián)的堆疊方式
其基本的原理就是實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載。下面就來(lái)介紹一下電感耦合無(wú)線互聯(lián)是如何實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載的。如圖2.4所示,正四邊形為收發(fā)器模塊里的電感線圈,內(nèi)電感線圈為發(fā)射線圈,外電感線圈為接收線圈,RX代表是接收電路,TX是發(fā)射電路。如圖2.4左方所示,上傳數(shù)據(jù)是將底層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關(guān)閉,上層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感關(guān)閉接收電感開啟,這樣就形成了上傳數(shù)據(jù)通道;如圖2.4右方所示,下載數(shù)據(jù)是將底層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感關(guān)閉接收電感開啟,上層存儲(chǔ)器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關(guān)閉,這樣就形成了下載數(shù)據(jù)通道。要注意的是同一個(gè)收發(fā)器模塊的接收和發(fā)射電感不能同時(shí)開啟
處于此狀態(tài)時(shí),能夠態(tài),是指芯片處于此電感通道中信號(hào)送入翻轉(zhuǎn),且只能接收復(fù) 3.1 所示:首先由控,存儲(chǔ)片 1 接到“01的“01,11,10,00”為通道狀態(tài),然后發(fā)位指令后狀態(tài)由初始;存儲(chǔ)片 4 接到“10的 00 將整個(gè)通道的態(tài)的狀態(tài)機(jī)來(lái)實(shí)現(xiàn)的
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術(shù)[J]. 郎鵬,高志方,牛艷紅. 電子工藝技術(shù). 2009(06)
[2]三維封裝中引線鍵合技術(shù)的實(shí)現(xiàn)與可靠性[J]. 陸裕東,何小琦,恩云飛. 微電子學(xué). 2009(05)
[3]三維(3-D)封裝技術(shù)[J]. 何金奇. 微電子技術(shù). 2001(04)
本文編號(hào):2955945
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