電感耦合通道傳輸協(xié)議及控制接口的研究與設計
發(fā)布時間:2021-01-04 02:16
電感耦合無線互聯(lián)三維堆疊封裝方式是一種純物理的提高電路集成度的方式。當這種電感耦合無線互聯(lián)的方式應用于大容量存儲器時,可以進一步增加存儲器的容量,減少芯片面積。但是,應用于大容量存儲器的電感耦合無線互聯(lián)的研究處于初始階段,沒有專用的接口用于傳輸與控制,因此需要為其設計簡單易行的傳輸協(xié)議與接口,以利于其在大容量存儲器中的應用。本文從電感耦合通道傳輸?shù)奶厥庑苑矫嫒胧?針對電感通道傳輸信號所必須解決的兩個問題提出簡單有效的傳輸協(xié)議;诖藗鬏攨f(xié)議,設計出相應的存儲器串行傳輸接口。接口利用半即時傳輸?shù)乃枷?提高通道傳輸利用率,且通過自動復位的設計實現(xiàn)芯片無外接復位線的效果,節(jié)約芯片面積。另外,本文在此基礎上針對flash memory這一具體存儲器進行了串行傳輸接口的詳細設計。本文設計的串行傳輸接口利用Modelsim進行了系統(tǒng)仿真,實驗結果表明,傳輸協(xié)議能夠簡單快速地完成電感通道的鋪設;傳輸接口能夠正確快速地傳輸外界送入芯片內(nèi)信號,并可以為存儲器存取提供正確信號。
【文章來源】:華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
不帶電磁屏蔽罩的電感耦合無線互聯(lián)的堆疊方式
其基本的原理就是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載。下面就來介紹一下電感耦合無線互聯(lián)是如何實現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載的。如圖2.4所示,正四邊形為收發(fā)器模塊里的電感線圈,內(nèi)電感線圈為發(fā)射線圈,外電感線圈為接收線圈,RX代表是接收電路,TX是發(fā)射電路。如圖2.4左方所示,上傳數(shù)據(jù)是將底層存儲器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關閉,上層存儲器芯片的發(fā)射電感關閉接收電感開啟,這樣就形成了上傳數(shù)據(jù)通道;如圖2.4右方所示,下載數(shù)據(jù)是將底層存儲器芯片的發(fā)射電感關閉接收電感開啟,上層存儲器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關閉,這樣就形成了下載數(shù)據(jù)通道。要注意的是同一個收發(fā)器模塊的接收和發(fā)射電感不能同時開啟
處于此狀態(tài)時,能夠態(tài),是指芯片處于此電感通道中信號送入翻轉,且只能接收復 3.1 所示:首先由控,存儲片 1 接到“01的“01,11,10,00”為通道狀態(tài),然后發(fā)位指令后狀態(tài)由初始;存儲片 4 接到“10的 00 將整個通道的態(tài)的狀態(tài)機來實現(xiàn)的
【參考文獻】:
期刊論文
[1]3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術[J]. 郎鵬,高志方,牛艷紅. 電子工藝技術. 2009(06)
[2]三維封裝中引線鍵合技術的實現(xiàn)與可靠性[J]. 陸裕東,何小琦,恩云飛. 微電子學. 2009(05)
[3]三維(3-D)封裝技術[J]. 何金奇. 微電子技術. 2001(04)
本文編號:2955945
【文章來源】:華中科技大學湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:57 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
不帶電磁屏蔽罩的電感耦合無線互聯(lián)的堆疊方式
其基本的原理就是實現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載。下面就來介紹一下電感耦合無線互聯(lián)是如何實現(xiàn)數(shù)據(jù)的上傳和下載的。如圖2.4所示,正四邊形為收發(fā)器模塊里的電感線圈,內(nèi)電感線圈為發(fā)射線圈,外電感線圈為接收線圈,RX代表是接收電路,TX是發(fā)射電路。如圖2.4左方所示,上傳數(shù)據(jù)是將底層存儲器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關閉,上層存儲器芯片的發(fā)射電感關閉接收電感開啟,這樣就形成了上傳數(shù)據(jù)通道;如圖2.4右方所示,下載數(shù)據(jù)是將底層存儲器芯片的發(fā)射電感關閉接收電感開啟,上層存儲器芯片的發(fā)射電感開啟接收電感關閉,這樣就形成了下載數(shù)據(jù)通道。要注意的是同一個收發(fā)器模塊的接收和發(fā)射電感不能同時開啟
處于此狀態(tài)時,能夠態(tài),是指芯片處于此電感通道中信號送入翻轉,且只能接收復 3.1 所示:首先由控,存儲片 1 接到“01的“01,11,10,00”為通道狀態(tài),然后發(fā)位指令后狀態(tài)由初始;存儲片 4 接到“10的 00 將整個通道的態(tài)的狀態(tài)機來實現(xiàn)的
【參考文獻】:
期刊論文
[1]3D封裝與硅通孔(TSV)工藝技術[J]. 郎鵬,高志方,牛艷紅. 電子工藝技術. 2009(06)
[2]三維封裝中引線鍵合技術的實現(xiàn)與可靠性[J]. 陸裕東,何小琦,恩云飛. 微電子學. 2009(05)
[3]三維(3-D)封裝技術[J]. 何金奇. 微電子技術. 2001(04)
本文編號:2955945
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