【摘要】：基于中芯國(guó)際40 nm工藝制備的64 Mbit相變存儲(chǔ)器,設(shè)計(jì)并進(jìn)行了兩組對(duì)比實(shí)驗(yàn)。分別使用不同幅值和脈寬的RESET電流脈沖對(duì)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行疲勞操作,對(duì)相變存儲(chǔ)器單元的疲勞性能與RESET操作電流的關(guān)系進(jìn)行了研究。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,存儲(chǔ)單元的疲勞壽命和RESET脈沖幅值的平方呈反比關(guān)系,和脈沖寬度呈反比關(guān)系。在相變存儲(chǔ)器的操作過(guò)程中,高阻態(tài)下的電阻值出現(xiàn)先減小后增大的漂移現(xiàn)象,這是因?yàn)椴僮麟娏鲿?huì)對(duì)相變材料組分產(chǎn)生影響,在相變材料層中會(huì)出現(xiàn)逐漸增大的孔洞,孔洞最終導(dǎo)致相變器件失效,與實(shí)驗(yàn)中高阻態(tài)阻值漂移現(xiàn)象相吻合,同時(shí)可以用來(lái)預(yù)測(cè)存儲(chǔ)單元的疲勞壽命。

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