光信息存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及前景分析
發(fā)布時(shí)間:2020-06-14 15:35
【摘要】:隨著社會(huì)的發(fā)展和科技的進(jìn)步,信息的存儲(chǔ)容量在以幾何級(jí)數(shù)增加,高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)始終是人們關(guān)注的研究領(lǐng)域。在當(dāng)前主流的三種存儲(chǔ)技術(shù)(磁存儲(chǔ)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)和光存儲(chǔ))中,光存儲(chǔ)具有存儲(chǔ)密度大、信息保存時(shí)間長(zhǎng)、生產(chǎn)成本低、潛力巨大等特點(diǎn),因此被視為最有發(fā)展前途的存儲(chǔ)方法。傳統(tǒng)的光存儲(chǔ)技術(shù)雖然已經(jīng)成熟,但受波長(zhǎng)衍射極限和物鏡數(shù)值孔徑的限制,存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)密度已經(jīng)接近極限。 隨著與光存儲(chǔ)相關(guān)的幾門學(xué)科(光學(xué)技術(shù)、微電子技術(shù)、材料科學(xué)、細(xì)微加工技術(shù)、計(jì)算機(jī)與自動(dòng)控制技術(shù))的發(fā)展,目前出現(xiàn)了很多新興的光存儲(chǔ)技術(shù),如:體全息存儲(chǔ)、光譜燒孔存儲(chǔ)、雙光子吸收三維存儲(chǔ)、散斑復(fù)用光存儲(chǔ)、波導(dǎo)多層光存儲(chǔ)、熒光多層光存儲(chǔ)、固體浸沒透鏡近場(chǎng)存儲(chǔ)、超分辨率近場(chǎng)結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)、探針型近場(chǎng)光存儲(chǔ)、光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)、多階光存儲(chǔ)、多波長(zhǎng)光存儲(chǔ)、光波混頻的相位共軛光存儲(chǔ)、光折變存儲(chǔ)、光致變色光存儲(chǔ)、電子俘獲光存儲(chǔ)等。 本研究對(duì)傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)和新興的光存儲(chǔ)技術(shù)原理進(jìn)行了述評(píng),對(duì)它們的優(yōu)缺點(diǎn)進(jìn)行了比較,并從總體發(fā)展規(guī)律上對(duì)其進(jìn)行分析,在此基礎(chǔ)上展望了未來信息存儲(chǔ)的發(fā)展趨勢(shì)。
【學(xué)位授予單位】:東北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
y)”。其內(nèi)部是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容組成最基本的存儲(chǔ)單位,電容用來存儲(chǔ)數(shù)字信息(“O”或“1”),而晶體管用來控制電路來讀取信息和改變電容內(nèi)的信自、。RAM的實(shí)物如圖1一1所示。常見的有SRAM,DRAM, FPMDRAM, EDODRAM,SDRAM,RDRAM,信用卡存儲(chǔ)器,PCMCIA存儲(chǔ)器卡, FlashRAM
東北師范大學(xué)碩士學(xué)位論文圖1一3閃存1.2.7閃存卡閃存卡 (Flashcard)是利用閃存技術(shù)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,如圖1一4所示。廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、mp3、mP4、智能手機(jī)、掌上電腦、錄音筆等電子產(chǎn)品中。根據(jù)接口和生產(chǎn)廠商的不同可以分為 SeeureDigital(sD卡)、 smartMedia(sM卡)、 MultiMediaCard(MMC卡)、 CompaetFlash(CF卡)、XD一 pietureCard(XD卡)、 Memo翔stiek(記憶棒)和微硬盤(MxeRoDPJVE)[‘0]。壑壑壑圖1一4閃存卡 1.3傳統(tǒng)光盤存儲(chǔ)技術(shù)光盤存儲(chǔ)技術(shù)是將半導(dǎo)體激光器發(fā)出的光束經(jīng)過光路使其聚焦在旋轉(zhuǎn)盤片上,聚焦和循道伺服技術(shù)使焦點(diǎn)保持在固定深度的選定道,在焦點(diǎn)處的光盤記錄介質(zhì)發(fā)生物理或化學(xué)變化,引起介質(zhì)的光學(xué)性能(反射、吸收、相變等)的變化,實(shí)現(xiàn)了信息的寫入和讀取。圖l一5為光盤存儲(chǔ)基本原理【’]。
本文編號(hào):2712994
【學(xué)位授予單位】:東北師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2011
【分類號(hào)】:TP333
【圖文】:
y)”。其內(nèi)部是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容組成最基本的存儲(chǔ)單位,電容用來存儲(chǔ)數(shù)字信息(“O”或“1”),而晶體管用來控制電路來讀取信息和改變電容內(nèi)的信自、。RAM的實(shí)物如圖1一1所示。常見的有SRAM,DRAM, FPMDRAM, EDODRAM,SDRAM,RDRAM,信用卡存儲(chǔ)器,PCMCIA存儲(chǔ)器卡, FlashRAM
東北師范大學(xué)碩士學(xué)位論文圖1一3閃存1.2.7閃存卡閃存卡 (Flashcard)是利用閃存技術(shù)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,如圖1一4所示。廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、mp3、mP4、智能手機(jī)、掌上電腦、錄音筆等電子產(chǎn)品中。根據(jù)接口和生產(chǎn)廠商的不同可以分為 SeeureDigital(sD卡)、 smartMedia(sM卡)、 MultiMediaCard(MMC卡)、 CompaetFlash(CF卡)、XD一 pietureCard(XD卡)、 Memo翔stiek(記憶棒)和微硬盤(MxeRoDPJVE)[‘0]。壑壑壑圖1一4閃存卡 1.3傳統(tǒng)光盤存儲(chǔ)技術(shù)光盤存儲(chǔ)技術(shù)是將半導(dǎo)體激光器發(fā)出的光束經(jīng)過光路使其聚焦在旋轉(zhuǎn)盤片上,聚焦和循道伺服技術(shù)使焦點(diǎn)保持在固定深度的選定道,在焦點(diǎn)處的光盤記錄介質(zhì)發(fā)生物理或化學(xué)變化,引起介質(zhì)的光學(xué)性能(反射、吸收、相變等)的變化,實(shí)現(xiàn)了信息的寫入和讀取。圖l一5為光盤存儲(chǔ)基本原理【’]。
【引證文獻(xiàn)】
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1 岳淼;;探究三維信息存儲(chǔ)讀出信號(hào)振幅的計(jì)算機(jī)仿真[J];電腦與電信;2015年04期
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3 王志明;砷化鎵為基的量子點(diǎn)浮柵型存儲(chǔ)器保持特性研究[D];華中科技大學(xué);2017年
4 佟建強(qiáng);鋰鈮比變化鉿錳鐵三摻鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)及光折變性能研究[D];燕山大學(xué);2015年
5 靳麗婕;鋯鈰鐵三摻鈮酸鋰晶體生長(zhǎng)及光全息存儲(chǔ)性能的研究[D];燕山大學(xué);2014年
6 馬麗娜;Eu~(2+),Sm~(3+)摻雜12CaO·7Al_2O_3電子俘獲材料的制備和光存儲(chǔ)機(jī)理研究[D];東北師范大學(xué);2012年
本文編號(hào):2712994
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