發(fā)布時(shí)間：2020-05-07 09:02

【摘要】： 本文以可靠性增長(zhǎng)理論和可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)方法為基礎(chǔ),結(jié)合軍用電子硬盤(pán)的特點(diǎn),提出了軍用電子硬盤(pán)的可靠性增長(zhǎng)流程和規(guī)劃。研究介紹了Duane模型、AMSAA模型、Gompertz模型,并采用前兩個(gè)模型展開(kāi)介紹了圖分析法和統(tǒng)計(jì)分析方法。結(jié)合我國(guó)國(guó)軍標(biāo)要求的復(fù)雜軍用環(huán)境,對(duì)軍用電子硬盤(pán)進(jìn)行環(huán)境測(cè)試,同時(shí)對(duì)試驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行可靠性增長(zhǎng)分析與改進(jìn)。 本文以軍用電子硬盤(pán)的可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)和分析改進(jìn)為核心,進(jìn)行了以下的研究工作: 1、研究介紹可靠性增長(zhǎng)的基本概念,分析軍用電子硬盤(pán)的特點(diǎn),探討失效情況和改進(jìn)方案,提出軍用電子硬盤(pán)可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的方法,并根據(jù)這些特點(diǎn)制定可靠性增長(zhǎng)的基本流程和規(guī)劃。 2、分析探討了Duane模型、AMSAA模型、Gompertz模型,為后面的試驗(yàn)分析方法做好理論基礎(chǔ)。根據(jù)國(guó)軍標(biāo)可靠性鑒定和驗(yàn)收試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)制定軍用電子硬盤(pán)的試驗(yàn)要求,并在Duane模型、AMSAA模型的基礎(chǔ)上,研究介紹了圖分析法和統(tǒng)計(jì)分析法。 3、搭建可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)平臺(tái),編寫(xiě)復(fù)雜軍用環(huán)境下軍用電子硬盤(pán)可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的試驗(yàn)規(guī)范和具體流程。在復(fù)雜軍用環(huán)境下進(jìn)行了大量可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn),記錄可靠性增長(zhǎng)數(shù)據(jù)。同時(shí)采用上述兩類(lèi)方法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,提出可靠性增長(zhǎng)的改進(jìn)措施。然后再對(duì)試驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析和預(yù)測(cè)MTBF,判別可靠性增長(zhǎng)試驗(yàn)的效果。
【圖文】：

圖 1.1 有無(wú)可靠性增長(zhǎng)要求時(shí)壽命周期費(fèi)用的比較電子硬盤(pán)可靠性增長(zhǎng)研究的意義盤(pán)是應(yīng)用在軍事領(lǐng)域計(jì)算機(jī)方面的存儲(chǔ)器，是保障先，在軍事領(lǐng)域，電子硬盤(pán)替代傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)，、低熱量和耐高低溫的特點(diǎn)。這些特點(diǎn)不僅使得數(shù)延長(zhǎng)了靠電池供電設(shè)備的連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間。而且，在，例如-55 度低溫環(huán)境，高振動(dòng)沖擊環(huán)境等，，軍用電。98 年提出了 GJB322A-98《軍用計(jì)算機(jī)通用規(guī)范》，用計(jì)算機(jī)標(biāo)準(zhǔn)更新的技術(shù)要求，試驗(yàn)方法，檢驗(yàn)規(guī)則范。作為對(duì)軍用計(jì)算機(jī)的要求標(biāo)準(zhǔn)，GJB322A-98 在對(duì)較低。而我國(guó)借鑒美軍標(biāo)編寫(xiě)的 GJB150 《軍用顯對(duì)軍用裝備環(huán)境要求提高，計(jì)算機(jī)如果還是采用這些高標(biāo)準(zhǔn)的武器裝備應(yīng)用環(huán)境要求。所以說(shuō)，軍

電子硬盤(pán)全稱固態(tài)電子硬盤(pán)（Solid State Disk），下面簡(jiǎn)稱為電子硬盤(pán)。一可以分為兩種：一種是基于閃存的電子硬盤(pán)，采用 FLASH MEMORY 作為存儲(chǔ)質(zhì)，并采用機(jī)械硬盤(pán)的標(biāo)準(zhǔn)接口，這也是通常比較常見(jiàn)的電子硬盤(pán)。另一種是于 DRAM 的電子硬盤(pán)，采用 DRAM 作為存儲(chǔ)介質(zhì)、仿效傳統(tǒng)磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的設(shè)可被各種操作系統(tǒng)的文件系統(tǒng)工具進(jìn)行卷設(shè)置和管理，并提供工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PCIFC 接口用于連接主機(jī)/服務(wù)器或存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)的存儲(chǔ)設(shè)備，是一種高性能的存儲(chǔ)介質(zhì)但它卻不支持掉電存儲(chǔ)，需要電源保護(hù)數(shù)據(jù)安全。電子硬盤(pán)并不使用磁介質(zhì)或者光介質(zhì)（CD 就是使用光介質(zhì)）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，是使用固態(tài)半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。因此，電子硬盤(pán)并不像機(jī)械硬盤(pán)那樣必須用磁頭和碟片來(lái)讀取數(shù)據(jù)，有高得多的理論讀寫(xiě)速度；而且由于結(jié)構(gòu)上的特點(diǎn)并不像硬盤(pán)那樣對(duì)機(jī)械震動(dòng)或者溫度比較敏感，應(yīng)用范圍更廣。通常，電子硬的結(jié)構(gòu)組成包括控制器和存儲(chǔ)芯片兩部分，這就是使得許多附加應(yīng)用（例如加甚至自己的軟件平臺(tái)等）可以實(shí)施。軍用電子硬盤(pán)是在一般電子硬盤(pán)的基礎(chǔ)上，通過(guò)性能改進(jìn)和設(shè)計(jì)，提升電硬盤(pán)的應(yīng)用范圍和性能，最終達(dá)到軍事應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)。
【學(xué)位授予單位】：國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2008
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

【引證文獻(xiàn)】

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 金風(fēng)明;產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程可靠性增長(zhǎng)技術(shù)應(yīng)用研究[D];機(jī)械科學(xué)研究總院;2012年

本文編號(hào)：2652744