發(fā)布時(shí)間：2017-03-23 13:18

  本文關(guān)鍵詞：基于TSMC65nm鎖存型靈敏放大器失調(diào)電壓的建模，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：SRAM的結(jié)構(gòu)由存儲(chǔ)單元陣列和外圍電路兩大部分組成,其中存儲(chǔ)單元陣列是SRAM的核心部分,其結(jié)構(gòu)相對(duì)固定,一般由工藝水平所決定,所以就主要通過對(duì)外圍電路的改進(jìn)來提高SRAM的性能。SRAM外圍電路包括：行/列地址譯碼器(decode),靈敏放大器(SA, Sense Amplifier),控制電路(Control Circuit),緩沖/驅(qū)動(dòng)電路(FFIO)等。其中靈敏放大器的作用是將位線上的微弱信號(hào)轉(zhuǎn)化為滿足要求的輸出信號(hào),靈敏放大器的性能優(yōu)劣對(duì)SRAM的性能影響重大,從而關(guān)系到半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的整體性能,而失調(diào)電壓是靈敏放大器的性能指標(biāo)中最重要的參數(shù)。隨著微電子工藝的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體器件的工藝參數(shù)如尺寸、位線上的負(fù)載電容和閾值電壓的不匹配可能會(huì)造成輸入信號(hào)被靈敏放大器錯(cuò)誤的放大,所以預(yù)測(cè)其失調(diào)電壓已是在設(shè)計(jì)靈敏放大器時(shí)的關(guān)鍵步驟。本文對(duì)比與分析了幾種不同類型的靈敏放大器的基本結(jié)構(gòu)并通過仿真比較了他們的優(yōu)缺點(diǎn),最后選定鎖存型靈敏放大器作為本論文研究失調(diào)電壓的基礎(chǔ)。接著分析了鎖存型靈敏放大器電路失配的原因,并對(duì)失調(diào)可能產(chǎn)生的結(jié)果進(jìn)行分析,提出一種新的失調(diào)電壓的模型。該模型根據(jù)基爾霍夫電流定律得出鎖存型靈敏放大器就器件的閾值電壓失配、跨導(dǎo)失配和負(fù)載電容失配引起的失調(diào)電壓的計(jì)算公式。最后將Cadence仿真結(jié)果分別與模型計(jì)算結(jié)果進(jìn)行比較,得出該模型可以很好的模擬鎖存型靈敏放大器的失調(diào)電壓。
【關(guān)鍵詞】：靈敏放大器 失調(diào)電壓 失配 模型
【學(xué)位授予單位】：安徽大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號(hào)】：TP333;TN722
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-14
• 1.1 論文研究背景7-12
• 1.2 論文的研究?jī)?nèi)容12-13
• 1.3 論文的結(jié)構(gòu)13
• 1.4 本章小結(jié)13-14
• 第二章 幾種常用靈敏放大器的分析14-33
• 2.1 電流鏡型靈敏放大器15-18
• 2.1.1 基本電路結(jié)構(gòu)15-16
• 2.1.2 過渡過程分析16-17
• 2.1.3 過渡過程仿真17-18
• 2.1.4 優(yōu)缺點(diǎn)18
• 2.2 交叉耦合型靈敏放大器18-21
• 2.2.1 基本電路結(jié)構(gòu)19
• 2.2.2 過渡過程分析19-20
• 2.2.3 過渡過程仿真20-21
• 2.2.4 優(yōu)缺點(diǎn)21
• 2.3 鎖存器型靈敏放大器21-32
• 2.3.1 反相器分析21-25
• 2.3.2 基本鎖存器型靈敏放大器25-28
• 2.3.3 帶差分結(jié)構(gòu)的鎖存器型靈敏放大器28-32
• 2.4 總結(jié)32-33
• 第三章 失調(diào)電壓的建模33-48
• 3.1 鎖存型靈敏放大器的失調(diào)分析33-37
• 3.2 鎖存型靈敏放大器的失調(diào)電壓模型建立37-43
• 3.3 模型的驗(yàn)證43-47
• 3.3.1 閾值電壓失配43-45
• 3.3.2 跨導(dǎo)失配45-47
• 3.3.3 負(fù)載電容失配47
• 3.4 本章小結(jié)47-48
• 第四章 結(jié)論48-50
• 4.1 總結(jié)48
• 4.2 工作展望48-50
• 參考文獻(xiàn)50-53
• 附錄53-55
• 圖表目錄55-56
• 致謝5

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  本文關(guān)鍵詞：基于TSMC65nm鎖存型靈敏放大器失調(diào)電壓的建模，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：263822