發(fā)布時間：2017-03-23 13:18

  本文關鍵詞：基于TSMC65nm鎖存型靈敏放大器失調電壓的建模，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：SRAM的結構由存儲單元陣列和外圍電路兩大部分組成,其中存儲單元陣列是SRAM的核心部分,其結構相對固定,一般由工藝水平所決定,所以就主要通過對外圍電路的改進來提高SRAM的性能。SRAM外圍電路包括：行/列地址譯碼器(decode),靈敏放大器(SA, Sense Amplifier),控制電路(Control Circuit),緩沖/驅動電路(FFIO)等。其中靈敏放大器的作用是將位線上的微弱信號轉化為滿足要求的輸出信號,靈敏放大器的性能優(yōu)劣對SRAM的性能影響重大,從而關系到半導體存儲器的整體性能,而失調電壓是靈敏放大器的性能指標中最重要的參數。隨著微電子工藝的不斷進步,半導體器件的工藝參數如尺寸、位線上的負載電容和閾值電壓的不匹配可能會造成輸入信號被靈敏放大器錯誤的放大,所以預測其失調電壓已是在設計靈敏放大器時的關鍵步驟。本文對比與分析了幾種不同類型的靈敏放大器的基本結構并通過仿真比較了他們的優(yōu)缺點,最后選定鎖存型靈敏放大器作為本論文研究失調電壓的基礎。接著分析了鎖存型靈敏放大器電路失配的原因,并對失調可能產生的結果進行分析,提出一種新的失調電壓的模型。該模型根據基爾霍夫電流定律得出鎖存型靈敏放大器就器件的閾值電壓失配、跨導失配和負載電容失配引起的失調電壓的計算公式。最后將Cadence仿真結果分別與模型計算結果進行比較,得出該模型可以很好的模擬鎖存型靈敏放大器的失調電壓。
【關鍵詞】：靈敏放大器 失調電壓 失配 模型
【學位授予單位】：安徽大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TP333;TN722
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-14
• 1.1 論文研究背景7-12
• 1.2 論文的研究內容12-13
• 1.3 論文的結構13
• 1.4 本章小結13-14
• 第二章 幾種常用靈敏放大器的分析14-33
• 2.1 電流鏡型靈敏放大器15-18
• 2.1.1 基本電路結構15-16
• 2.1.2 過渡過程分析16-17
• 2.1.3 過渡過程仿真17-18
• 2.1.4 優(yōu)缺點18
• 2.2 交叉耦合型靈敏放大器18-21
• 2.2.1 基本電路結構19
• 2.2.2 過渡過程分析19-20
• 2.2.3 過渡過程仿真20-21
• 2.2.4 優(yōu)缺點21
• 2.3 鎖存器型靈敏放大器21-32
• 2.3.1 反相器分析21-25
• 2.3.2 基本鎖存器型靈敏放大器25-28
• 2.3.3 帶差分結構的鎖存器型靈敏放大器28-32
• 2.4 總結32-33
• 第三章 失調電壓的建模33-48
• 3.1 鎖存型靈敏放大器的失調分析33-37
• 3.2 鎖存型靈敏放大器的失調電壓模型建立37-43
• 3.3 模型的驗證43-47
• 3.3.1 閾值電壓失配43-45
• 3.3.2 跨導失配45-47
• 3.3.3 負載電容失配47
• 3.4 本章小結47-48
• 第四章 結論48-50
• 4.1 總結48
• 4.2 工作展望48-50
• 參考文獻50-53
• 附錄53-55
• 圖表目錄55-56
• 致謝5

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  本文關鍵詞：基于TSMC65nm鎖存型靈敏放大器失調電壓的建模，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號：263822