【摘要】： 快閃存儲(chǔ)器(閃存)作為一種隨著微電子工業(yè)的高速發(fā)展而誕生的新興的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，以其獨(dú)有的非易失性，高密度，，低成本等特點(diǎn)，逐漸取代了ROM／EPROM／EEPROM，在近幾年中得到了迅猛的發(fā)展。尤其是串行閃存(Serial Flash)，因其具有較少的數(shù)據(jù)引腳，簡(jiǎn)單的外圍電路構(gòu)建，使其更為人們所常用。 但是，由于閃存自身的存儲(chǔ)架構(gòu)原因，當(dāng)對(duì)閃存寫(xiě)時(shí)，數(shù)據(jù)由1變?yōu)?，變?yōu)?后，不能通過(guò)寫(xiě)再變?yōu)?。當(dāng)對(duì)閃存擦除時(shí)，數(shù)據(jù)由0變?yōu)?，不能只某位單元進(jìn)行擦除。當(dāng)其數(shù)據(jù)的擦除和改寫(xiě)時(shí)，只能以塊為最小單位進(jìn)行操作，閃存的擦除包括塊擦除和芯片擦除。塊擦除是把某一擦除塊的內(nèi)容都變?yōu)?，芯片擦除是把整個(gè)閃存的內(nèi)容都變?yōu)?。通常一個(gè)閃存存儲(chǔ)器芯片，分為若干個(gè)擦除塊，在進(jìn)行閃存存儲(chǔ)時(shí)，以擦除塊為單位。且其具有10萬(wàn)—100萬(wàn)次的讀寫(xiě)壽命。閃存的這些特性都有別于其他的存儲(chǔ)器件。 所以，本課題針對(duì)于閃存的這些特性，對(duì)閃存(串行)在數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)應(yīng)用接口的設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)文件的管理方面作了相應(yīng)的研究和思考，主要就客戶／生產(chǎn)廠商在應(yīng)用串行閃存的過(guò)程中所遇到的具體實(shí)際問(wèn)題出發(fā)，如數(shù)據(jù)的丟失，指令的誤操作，CRC校驗(yàn)錯(cuò)誤等，設(shè)計(jì)和編制了一個(gè)基于NI公司的LabWindows／CVI平臺(tái)的針對(duì)M25系列串行閃存的數(shù)據(jù)診斷分析工具，以便于客戶的有效和便捷使用。且試驗(yàn)證明該工具簡(jiǎn)單實(shí)用。
【圖文】：

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【學(xué)位授予單位】：南京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2007
【分類號(hào)】：TP333

【引證文獻(xiàn)】

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 吳麗娟;基于串行閃存的數(shù)據(jù)采集存儲(chǔ)系統(tǒng)的研究[D];中北大學(xué);2010年

本文編號(hào)：2595432