【摘要】：基于單粒子效應(yīng)脈沖激光實(shí)驗(yàn)裝置,開展了90 nm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的單粒子翻轉(zhuǎn)和閂鎖效應(yīng)實(shí)驗(yàn),并給出了器件單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)位圖.實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),器件出現(xiàn)了大量的多位翻轉(zhuǎn)和約20 mA的電源電流脈沖.借助器件仿真工具,揭示了器件發(fā)生單粒子多位翻轉(zhuǎn)效應(yīng)的原因.結(jié)果表明,器件局部陣列發(fā)生單粒子閂鎖效應(yīng)并傳播到多個(gè)位單元是誘發(fā)多位翻轉(zhuǎn)的主要原因.通過對比分析脈沖激光和器件仿真實(shí)驗(yàn)結(jié)果,發(fā)現(xiàn)P/N阱電勢塌陷是導(dǎo)致90 nm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器出現(xiàn)單粒子閂鎖傳播效應(yīng)的內(nèi)在物理機(jī)制.
[Abstract]:Based on the single event effect pulsed laser experimental facility, the single event flip and latch-up effect experiments of 90 nm complementary metal oxide semiconductor static random access memory are carried out, and the single event flip effect bitmap of the device is given. The results show that the single event latch-up effect in the local array of the device and its propagation to multiple bit cells are the main causes of the multi-bit flip. The intrinsic mechanism of the single particle latch propagation effect in semiconductor semiconductor static random access memory.
【作者單位】： 中國科學(xué)院國家空間科學(xué)中心;中國科學(xué)院大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):41304148) 中國科學(xué)院知識(shí)創(chuàng)新工程青年基金(批準(zhǔn)號(hào):O82111A17S)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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2 張科營;郭紅霞;羅尹虹;何寶平;姚志斌;張鳳祁;王園明;;靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)三維數(shù)值模擬[J];物理學(xué)報(bào);2009年12期

【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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10 賀朝會(huì);楊秀培;張衛(wèi)衛(wèi);褚俊;任學(xué)明;夏春梅;王宏全;肖江波;李曉林;;應(yīng)用α源評(píng)估靜態(tài)存儲(chǔ)器的軟錯(cuò)誤[A];第四屆北京核學(xué)會(huì)核應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2006年

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10 王浩;DSP輻射效應(yīng)分析及測試方法研究[D];西安電子科技大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：2232618