【摘要】：基于北京HI-13串列加速器質(zhì)子源及技術(shù)改進(jìn)工作,獲得2~15 MeV低能質(zhì)子束流。針對商業(yè)級65nm工藝4M×18bit大容量隨機(jī)靜態(tài)存儲器(SRAM),開展了質(zhì)子單粒子翻轉(zhuǎn)實驗研究。實驗結(jié)果表明,低能質(zhì)子通過直接電離機(jī)制可在存儲器中引起顯著的單粒子翻轉(zhuǎn),其翻轉(zhuǎn)截面較核反應(yīng)機(jī)制引起的翻轉(zhuǎn)截面大2~3個數(shù)量級。結(jié)合實驗數(shù)據(jù)分析了質(zhì)子翻轉(zhuǎn)機(jī)制、LET值及射程、臨界電荷及空間軟錯誤率等,分析結(jié)果表明,實驗器件翻轉(zhuǎn)臨界電荷約為0.97fC,而低能質(zhì)子超過高能質(zhì)子成為質(zhì)子軟錯誤率的主要貢獻(xiàn)因素。
[Abstract]:Based on the proton source of the Beijing HI-13 tandem accelerator and its technical improvement, a low energy proton beam of 2 ~ 15 MeV was obtained. The proton single particle flipping experiment was carried out for commercial grade 65nm process 4M 脳 18bit large capacity static state memory (SRAM),). The experimental results show that the low energy proton can cause a significant single particle flip in the memory by direct ionization mechanism, and its flip cross section is 2 ~ 3 orders of magnitude larger than that caused by the nuclear reaction mechanism. Based on the experimental data, the value and range of the proton turnover mechanism, the critical charge and the spatial soft error rate are analyzed. The results show that, The critical charge of the experimental device is about 0.97 fC, and the low energy proton over the high energy proton is the main contributing factor to the proton soft error rate.
【作者單位】： 中國原子能科學(xué)研究院核物理研究所;薩斯喀徹溫大學(xué)電子與計算機(jī)工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(11105230)
【分類號】：TP333

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本文編號：2232652