本文選題：嵌入式閃存 + 源線補償電路��； 參考：《固體電子學研究與進展》2014年05期

【摘要】：提出了一種適合于嵌入式閃存的高效的源線補償電路,本電路根據(jù)需要進行編程的存儲單元的數(shù)目,自動調整電荷泵的輸出來補償源線譯碼路徑上的由于編程電流造成的壓降,最后實現(xiàn)源線電壓不隨輸入數(shù)據(jù)的不同而變化,以達到最優(yōu)的編程效率和最小的編程串擾。為了補償由于溫度變化引起的源線電壓變化,文中提出利用亞閾值電流對源線電壓進行溫度補償。同時,為了解決工藝偏差造成的源線電壓誤差,還提出了一種測試電路及其方法。將這個源線補償電路在0.13μm的FLASH工藝平臺上實現(xiàn)。測試結果表明:對于32位的數(shù)據(jù)輸入,從0X00000000變化到0XFFFFFFFF,源線上的電壓浮動范圍為±50mV,從-40~125°C,源線上的電壓浮動范圍為±100mV,再通過每個芯片單獨微調,所有溫度、輸入數(shù)據(jù)情形下,源線上電壓浮動范圍小于±200mV。
[Abstract]:An efficient source line compensation circuit suitable for embedded flash memory is proposed. The circuit automatically adjusts the output of charge pump according to the number of memory cells programmed to compensate the voltage drop caused by programming current on the source line decoding path. Finally, the source line voltage does not change with the input data, in order to achieve the optimal programming efficiency and minimum programming crosstalk. In order to compensate for the variation of source line voltage caused by temperature change, a subthreshold current is proposed to compensate the source line voltage. At the same time, in order to solve the source line voltage error caused by process deviation, a test circuit and its method are proposed. The source line compensation circuit is implemented on the flash platform of 0.13 渭 m. The test results show that for 32-bit data input, from 0X00000000 to 0XFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF0XFFFF0XFFFFFFF0XFF00000, the range of voltage fluctuation on the source line is 鹵50mV from -40mV to 125o C, and the voltage fluctuation range on the source line is 鹵100mV. The voltage fluctuation range on the source line is less than 鹵200 MV.
【作者單位】： 武警工程大學;
【分類號】：TP333

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本文編號：2102753