本文選題：單粒子翻轉(zhuǎn) + 雙柵結(jié)構(gòu)　； 參考：《現(xiàn)代電子技術(shù)》2015年18期

【摘要】：通過(guò)對(duì)單粒子效應(yīng)以及抗單粒子翻轉(zhuǎn)電路加固原理進(jìn)行分析,提出一種基于雙柵MOS結(jié)構(gòu)的具有單粒子翻轉(zhuǎn)加固能力的SRAM存儲(chǔ)單元。該單元在實(shí)現(xiàn)抗單粒子翻轉(zhuǎn)加固的同時(shí)具有快速翻轉(zhuǎn)恢復(fù)、快速寫入、低靜態(tài)功耗的特點(diǎn)�；�0.18μm CMOS工藝進(jìn)行電路仿真,結(jié)果顯示該加固單元讀/寫功能正確,翻轉(zhuǎn)閾值大于100 Me V·cm2/mg�？梢灶A(yù)測(cè),該電路應(yīng)用于空間輻射環(huán)境下將有較好的穩(wěn)定性。
[Abstract]:Based on the analysis of the single particle effect and the strengthening principle of the anti-single particle flip circuit, a SRAM memory cell with single-particle flip reinforcement capability based on the double-gate MOS structure is proposed. The unit has the characteristics of fast flip recovery, fast writing and low static power consumption. The circuit simulation based on 0.18 渭 m CMOS process shows that the read / write function of the strengthened unit is correct, and the turnover threshold is greater than 100Me V cm2 / mg. It can be predicted that the circuit will have good stability in space radiation environment.
【作者單位】： 西安微電子技術(shù)研究所;
【分類號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2102512