本文選題：質(zhì)子 + 納米隨機靜態(tài)存儲器　； 參考：《物理學(xué)報》2015年21期

【摘要】：器件特征尺寸的減小帶來單粒子多位翻轉(zhuǎn)的急劇增加,對現(xiàn)有加固技術(shù)帶來了極大挑戰(zhàn).針對90 nm SRAM(static random access memory,靜態(tài)隨機存儲器)開展了中高能質(zhì)子入射角度對單粒子多位翻轉(zhuǎn)影響的試驗研究,結(jié)果表明隨著質(zhì)子能量的增加,單粒子多位翻轉(zhuǎn)百分比和多樣性增加,質(zhì)子單粒子多位翻轉(zhuǎn)角度效應(yīng)與質(zhì)子能量相關(guān).采用一種快速計算質(zhì)子核反應(yīng)引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)的截面積分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作為中高能質(zhì)子核反應(yīng)事件發(fā)生器,從次級粒子的能量和角度分布出發(fā),揭示了質(zhì)子與材料核反應(yīng)產(chǎn)生的次級粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最長的粒子優(yōu)先前向發(fā)射是引起單粒子多位翻轉(zhuǎn)角度相關(guān)性的根本原因.質(zhì)子能量、臨界電荷的大小是影響納米SRAM器件質(zhì)子多位翻轉(zhuǎn)角度相關(guān)性的關(guān)鍵因素.質(zhì)子能量越小,多位翻轉(zhuǎn)截面角度增強效應(yīng)越大;臨界電荷的增加將增強質(zhì)子多位翻轉(zhuǎn)角度效應(yīng).
[Abstract]:The reduction of the characteristic size of the device leads to a sharp increase of single particle multi-bit flipping, which poses a great challenge to the existing reinforcement technology. An experimental study on the effect of the incidence angle of protons at 90 nm on the multi-bit flip of single particle is carried out. The results show that with the increase of proton energy, the percentage and diversity of multi-bit flipping of single particle increase with the increase of proton energy. The multiposition reversal angle effect of proton single particle is related to proton energy. In this paper, a fast algorithm for calculating the cross sectional area of single particle multiposition flip caused by proton nuclear reaction is presented. The binary Cascade model in Geant4 is used as the event generator for the intermediate and high energy proton reaction. The energy and angle distribution of the secondary particle is considered. It is revealed that among the secondary particles produced by the reaction of proton and material, let (linear energy transfer) is the largest and the particle with the longest range preferentially emits forward, which is the fundamental reason for the correlation of multi-position reversal angle of single particle. Proton energy and critical charge are the key factors that affect the correlation of proton multiposition reversal angle. The smaller the proton energy is, the greater the angle enhancement effect is, and the higher the critical charge is, the stronger the proton multi-position flip angle effect will be.
【作者單位】： 強脈沖輻射環(huán)境模擬與效應(yīng)國家重點實驗室 西北核技術(shù)研究所;
【基金】：國家科技重大專項(批準號:2014ZX01022-301)資助的課題~~
【分類號】：TP333

【參考文獻】

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【共引文獻】

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【二級參考文獻】

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本文編號：2095850