發(fā)布時間：2018-06-29 23:56

  本文選題：二氧化鉿 + 薄膜　； 參考：《固體電子學研究與進展》2014年06期

【摘要】：采用射頻磁控濺射法在Pt/Ti/SiO2/Si襯底上制備了Ta/HfOx/Pt三明治結(jié)構(gòu),對其電學性能和化學成分進行了分析。結(jié)果表明,Ta/HfOx/Pt結(jié)構(gòu)具有明顯的雙極電阻轉(zhuǎn)變特性,高低阻比(ROFF/RON)約26,并且具有良好的重復性與保持性,循環(huán)次數(shù)超過了200次。通過XPS和R-T數(shù)據(jù)分析證實,電場作用下HfOx層中因氧的逸出以及鉿的富集所形成的鉿導電細絲的生長、斷裂和再生是該器件發(fā)生電阻轉(zhuǎn)變的主要機制。
[Abstract]:Ta-HfOx-Pt sandwich structure was prepared by RF magnetron sputtering on PT / Ti / Sio _ 2 / Si substrate. The electrical properties and chemical composition of the sandwich were analyzed. The results show that the Ta / HF / Pt structure has obvious bipolar resistance transition characteristics, the low / low resistance ratio (ROF / Ron) is about 26, and it has good repeatability and retention, and the number of cycles exceeds 200 times. XPS and R-T data analysis show that the growth, fracture and regeneration of hafnium conductive filament formed by oxygen escape and hafnium enrichment in HfOx layer under electric field are the main mechanism of resistance transition.
【作者單位】： 濰坊學院物理與光電工程學院;
【基金】：濰坊學院青年科研基金資助項目(2012Z15) 山東省自然科學基金青年基金資助項目(ZR2010EQ001)
【分類號】：TP333

【共引文獻】

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2 張婷;丁玲紅;張偉風;;Homogeneous interface-type resistance switching in Au/La_(0.67)Ca_(0.33)MnO_3/SrTiO_3/F:SnO_2 heterojunction memories[J];Chinese Physics B;2012年04期

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1 張婷;鈣鈦礦結(jié)構(gòu)金屬氧化物薄膜的室溫可逆電阻開關(guān)特性研究[D];河南大學;2010年

【相似文獻】

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2 孔金丞;李志;孔令德;趙俊;于曉輝;王善力;姬榮斌;;非晶態(tài)銻化銦薄膜的射頻磁控濺射生長及其結(jié)構(gòu)和光學特性研究[J];紅外技術(shù);2008年06期

3 孔金丞;孔令德;趙俊;張朋舉;李z閻，

本文編號：2083932