本文選題：鐵電存儲(chǔ)器 + 單粒子效應(yīng)��； 參考：《原子能科學(xué)技術(shù)》2017年05期

【摘要】：利用脈沖激光微束單粒子效應(yīng)(SEE)模擬裝置,研究了鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)工作頻率對(duì)其單粒子翻轉(zhuǎn)(SEU)的影響。研究結(jié)果表明,隨工作頻率的降低,被測(cè)器件SEU截面顯著增大,且翻轉(zhuǎn)是由外圍電路引發(fā)的。被測(cè)芯片1→0翻轉(zhuǎn)截面明顯大于0→1翻轉(zhuǎn)截面。對(duì)FRAM工作時(shí)序及不同芯片使能信號(hào)(CE)占空比下SEU截面的分析表明,頻率降低導(dǎo)致的CE有效時(shí)間延長(zhǎng)與SEU截面的增大有直接關(guān)系。本文同時(shí)開(kāi)展了FRAM不同功能模塊的單粒子鎖定(SEL)敏感性試驗(yàn),獲得了相應(yīng)的SEL閾值能量和飽和截面,并研究了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)工作模式下由SEL引發(fā)的數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)情況,發(fā)現(xiàn)動(dòng)態(tài)模式下被測(cè)器件更易受SEL影響而發(fā)生翻轉(zhuǎn)。
[Abstract]:The effect of the working frequency of ferroelectric memory (FRAM) on the single particle inversion (SEU) of pulsed laser microbeam single particle effect (SEE) was studied. The results show that the SEU cross section increases significantly with the decrease of operating frequency, and the flip is caused by the peripheral circuit. The flip cross section of chip 1 / 0 is larger than that of 0 / 1. The analysis of the working timing of FRAM and the SEU cross section under the duty cycle of different chip enable signal (CE) shows that the prolongation of CE effective time due to the decrease of frequency is directly related to the increase of the SEU cross section. At the same time, the sensitivity tests of single particle locking (SEL) for different functional modules of FRAM are carried out, the corresponding threshold energy and saturation cross section of SEL are obtained, and the data flipping induced by SEL in static and dynamic mode is studied. It is found that the device under dynamic mode is more vulnerable to the influence of SEL.
【作者單位】： 湘潭大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;西北核技術(shù)研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61634008)
【分類號(hào)】：TP333

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本文編號(hào)：2079992