本文選題：自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲器 + 磁隧道結(jié)　； 參考：《西安電子科技大學(xué)學(xué)報》2014年03期

【摘要】：為了降低自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲器的寫入功耗,提出了一種低電源電壓寫入電路.該電路利用列選和讀寫隔離相結(jié)合的方法,減小了寫入支路上的電阻,寫入電源電壓由1.8V降低為1.2V,寫入功耗降低了近33%.同時,該電路減小了讀取電流對磁隧道結(jié)存儲信息的干擾,可有效提高自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲器的存儲可靠性.利用65nm的磁隧道結(jié)器件模型和商用CMOS器件模型進(jìn)行了電路仿真,仿真結(jié)果表明,低電源電壓寫入電路能有效降低自旋轉(zhuǎn)移力矩磁隨機(jī)存儲器寫入功耗,提高其可靠性.
[Abstract]:In order to reduce the write power consumption of spin transfer torque magnetic random access memory, a low power supply voltage writing circuit is proposed. In this circuit, the resistance on the write branch is reduced by the combination of column selection and read / write isolation. The write power supply voltage is reduced from 1.8 V to 1.2 V, and the write power consumption is reduced by nearly 33 parts. At the same time, the circuit reduces the interference of the reading current to the storage information of the magnetic tunnel junction, and can effectively improve the memory reliability of the spin transfer torque magnetic random access memory. The simulation results show that the low power supply voltage writing circuit can effectively reduce the power consumption of spin transfer torque magnetic random access memory and improve its reliability.
【作者單位】： 西安電子科技大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件教育部重點(diǎn)實驗室;巴黎第十一大學(xué);
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61204092) 國家重大科技專項資助項目(2012ZX03001018-003) 中央高校基本科研業(yè)務(wù)費(fèi)資助項目(K5051225017)
【分類號】：TP333

【共引文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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3 孔令剛,韓汝琦;磁隨機(jī)存儲器的研究進(jìn)展[J];磁性材料及器件;2005年05期

4 彭子龍;韓秀峰;趙素芬;魏紅祥;杜關(guān)祥;詹文山;;磁隨機(jī)存儲器中垂直電流驅(qū)動的磁性隧道結(jié)自由層的磁化翻轉(zhuǎn)[J];物理學(xué)報;2006年02期

5 ;電源技術(shù)[J];電子設(shè)計技術(shù);2007年01期

6 卡馬勒.托克達(dá)爾汗;拜山.沙德克;;磁性隨機(jī)存儲器的研究進(jìn)展[J];大學(xué)物理;2009年12期

7 雷馨;;磁阻式隨機(jī)存儲器研究現(xiàn)狀[J];重慶科技學(xué)院學(xué)報(自然科學(xué)版);2010年04期

8 方天培;;采用低功率電路的高速隨機(jī)存儲器(RAM)——靜態(tài)RAM的低功率維持方式使存儲器系統(tǒng)的功耗減至最小——[J];電子計算機(jī)動態(tài);1978年03期

9 張海門;;1024單元雙極型隨機(jī)存儲器[J];電子計算機(jī)動態(tài);1975年07期

10 駱;RAM(Random Access Memory)隨機(jī)存儲器[J];桌面出版與設(shè)計;1995年03期

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1 ;富士通推256Mb移動快速循環(huán)隨機(jī)存儲器[N];電子資訊時報;2006年

2 記者　 束洪福;開發(fā)下一代鐵電隨機(jī)存儲器技術(shù)[N];科技日報;2007年

3 華凌;軟件技術(shù)可讓閃存替代隨機(jī)存儲器[N];科技日報;2012年

4 駱珈　那月東;鐵電隨機(jī)存儲器專利申請現(xiàn)狀分析[N];中國知識產(chǎn)權(quán)報;2011年

5 許東田;科技界熱議“新一代存儲材料與技術(shù)”[N];中國經(jīng)濟(jì)導(dǎo)報;2008年

6 湖北 肖泳;志“存”高遠(yuǎn)[N];電腦報;2005年

7 閆書強(qiáng);不會消失的“0”和“1”[N];電腦報;2009年

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9 盛俊杰;相變隨機(jī)存儲器電特性測試方法研究[D];華中科技大學(xué);2009年

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本文編號：1830121