鐵電晶體管存儲(chǔ)器的讀出電路設(shè)計(jì)
本文選題:鐵電晶體管 切入點(diǎn):仿真模型 出處:《壓電與聲光》2014年02期
【摘要】:通過(guò)對(duì)鐵電晶體管電學(xué)特性分析,提出了鐵電晶體管的仿真模型,并設(shè)計(jì)了一種新型單管(1T)結(jié)構(gòu)的讀出電路。通過(guò)此模型進(jìn)行了仿真驗(yàn)證,并與傳統(tǒng)雙管(2T)結(jié)構(gòu)的電流放大讀出電路的仿真結(jié)果進(jìn)行對(duì)比,結(jié)果表明,新型1T結(jié)構(gòu)讀出電路在讀出速度,可靠性及電路結(jié)構(gòu)大小等方面均有提高。
[Abstract]:By analyzing the electrical characteristics of ferroelectric transistors, a simulation model of ferroelectric transistors is proposed, and a novel readout circuit with a single transistor 1T structure is designed.The simulation results of this model are compared with those of the traditional current amplifying readout circuit with two-transistor 2T structure. The results show that the new type of readout circuit with 1T structure is at the readout speed.Reliability and circuit structure are improved.
【作者單位】: 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61204084)
【分類號(hào)】:TP333
【參考文獻(xiàn)】
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【共引文獻(xiàn)】
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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】
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【相似文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):1716057
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