本文關(guān)鍵詞：小容量相變存儲器芯片版圖設(shè)計(jì)與驗(yàn)證分析　出處：《微電子學(xué)》2015年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：設(shè)計(jì)了基于1T1R結(jié)構(gòu)的16kb相變存儲器(PCRAM)芯片及其版圖。芯片包括存儲陣列、外圍讀寫控制電路、糾錯電路(ECC)、靜電防護(hù)電路(ESD)。版圖上對納米存儲單元(1R)與CMOS工藝的融合作了優(yōu)化處理,給出了提高存儲單元操作電流熱效率的具體方法。1R位于頂層金屬(TM)和二層金屬(TM-1)之間,包含存儲材料以及上下電極,需要在傳統(tǒng)CMOS工藝基礎(chǔ)上添加掩膜版。讀出放大器采用全對稱的差分拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),大大提升了抗干擾能力、靈敏精度以及讀出速度。針對模塊布局、電源分配、二級效應(yīng)等問題,給出了版圖解決方案。采用中芯國際130nm CMOS工藝流片,測試結(jié)果顯示芯片成品率(bit yield)可達(dá)99.7%。
[Abstract]:The design of 16kb memory based on the structure of 1T1R (PCRAM) chip and its layout. A chip includes a memory array, the periphery of the read-write control circuit, error correction circuit (ECC), electrostatic protection circuit (ESD). The layout of nano storage unit (1R) and CMOS fusion process was optimized, and gives the specific method to improve the storage unit operating current thermal efficiency of.1R at the top of the metal (TM) and two (TM-1), metal layer includes a lower electrode material and storage, you need to add a mask based on the traditional CMOS process. The sense amplifier adopts a full symmetry of differential topology, greatly enhance the anti-jamming ability, accuracy and sensitivity readout speed. According to module layout, power distribution, two stage effect, gives the layout solution. Using SMIC 130nm CMOS process, test results show that the chip yield can reach 99.7%. (bit yield)

【作者單位】： 中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所上海市存儲器納米制造技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃(2010CB934300,2013CBA01900,2011CBA00607,2011CB932804) 國家集成電路重大專項(xiàng)(2009ZX02023-003) 國家自然科學(xué)基金項(xiàng)目(61076121,61176122,61106001,61376006,61261160500) 上海市科委資助項(xiàng)目(11DZ2261000,12nm0503701,12QA1403900,13ZR1447200,13DZ2295700)
【分類號】：TP333
【正文快照】： 1引言存儲器產(chǎn)品在集成電路市場中一直占據(jù)著較大的份額。作為主流非易失存儲器的Flash是一種基于電荷存儲的非易失性存儲器,采用具有浮柵的MOS管來存儲電荷。隨著集成電路工藝節(jié)點(diǎn)的縮小,Flash面臨光刻極限以及可靠性的雙重挑戰(zhàn),22nm工藝節(jié)點(diǎn)下,Flash浮柵內(nèi)所能存儲的電荷數(shù)

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本文編號：1380541