故障芯片重利用的三維存儲器成品率提高方法
本文關鍵詞:故障芯片重利用的三維存儲器成品率提高方法 出處:《微電子學與計算機》2016年10期 論文類型:期刊論文
更多相關文章: 三維存儲器 成品率 故障芯片 全局冗余 存儲塊
【摘要】:提出了一種對故障芯片進行重新利用以提高三維存儲器成品率的方法.該方法首先將存儲塊劃分為多個存儲子塊,然后對存儲芯片進行綁定前的測試以獲取存儲芯片的故障分布信息,從而獲取存儲芯片中有故障的存儲子塊數(shù)量,并根據(jù)所提的芯片選擇算法來選定合適的存儲芯片進行綁定.接著在三維存儲器中選擇一個無故障的存儲塊作為全局冗余,利用全局冗余中的存儲子塊對三維存儲器中有故障的存儲子塊進行修復.實驗結果表明,所提方法有效的提高了三維存儲器的成品率.
[Abstract]:Put forward a kind of fault on chip for reuse in order to improve the yield of 3D memory. The memory block is divided into a plurality of memory blocks, then the fault distribution information storage chip bound before the test to obtain the memory chip, thus obtaining stored fault block number storage chip and, according to the proposed chip selection algorithm to select the appropriate memory chip binding. Then select in a three-dimensional memory storage block without fault as global redundancy, redundancy in storage subsystem using global memory blocks of three-dimensional storage in fault block repair. The experimental results show that the proposed the effective method of improving the three-dimensional memory yield.
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學計算機與信息學院;情感計算與先進智能機器安徽省重點實驗室;日本德島大學先端技術科學教育部;
【基金】:國家自然科學基金項目(61432004;61306049;61204046;61474035)
【分類號】:TP333
【正文快照】: 1引言三維存儲器是三維集成電路的一個重要應用.與二維存儲器相比,三維存儲器在堆疊過程中不可避免的會產生新的存儲單元故障,導致三維存儲器的成品率不高.為提高三維存儲器的成品率,提出了很多有效地三維存儲器修復方法[1].存儲器的修復主要是利用存儲器中的冗余單元替換存儲
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7 IDG電訊;“!睔鉀_天[N];計算機世界;2000年
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,本文編號:1378104
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