本文關(guān)鍵詞：高分子憶阻材料的設(shè)計、制備和神經(jīng)突觸仿生研究進(jìn)展

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【摘要】：自從1971年加州大學(xué)伯克利分校電子理論家蔡少棠教授提出憶阻器(又稱"記憶電阻",第四種電路元件)假設(shè)后,引起了材料科學(xué)家和固體物理學(xué)家的極大的研究興趣。作為一種在計算機(jī)數(shù)據(jù)存儲和神經(jīng)運行領(lǐng)域具有廣泛潛在應(yīng)用價值的非線性動態(tài)電子器件,其影響可以追溯到發(fā)明電阻器、電容器、電感器之前。與生物大腦的神經(jīng)突觸類似,憶阻器兼具記憶和邏輯運算的功能。本文綜述了近年來高分子憶阻材料的合成和生物神經(jīng)突觸模擬研究進(jìn)展。利用不同的前、后突觸刺激可以模擬神經(jīng)突觸展現(xiàn)的一些諸如短期/長期可塑性(STP/LTP)、尖峰時間相關(guān)的可塑性(STDP)、穗率相關(guān)塑性(SRDP)和"學(xué)習(xí)-記憶-遺忘"等基本功能。大量研究結(jié)果已經(jīng)表明:材料體系的電荷轉(zhuǎn)移與傳輸、分子間弱相互作用、材料分子結(jié)構(gòu)、聚集態(tài)結(jié)構(gòu)、薄膜微結(jié)構(gòu)和電輸運特性等因素對材料憶阻效應(yīng)有顯著影響。
【作者單位】： 華東理工大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院教育部結(jié)構(gòu)可控先進(jìn)功能材料及其制備重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重點基金(51333002) 青年基金(21404037) 教育部博士點基金(20120074110004) 浦江人才計劃(16PJ1402400) 中央高校基金(WJ1514311)
【分類號】：TP333;TQ317
【正文快照】： 諸如隨機(jī)存取存儲器(RAM,包括動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM和靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM)、先進(jìn)先出存儲器(FIFO)、先進(jìn)后出存儲器(FILO)、只讀存儲器(ROM)和閃存(Flash memory)等存儲器件構(gòu)建了現(xiàn)代信息技術(shù)的核心和基礎(chǔ)。其中RAM、FIFO、FILO存儲器的共同點是具有讀寫功能,斷電后失去存儲的

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本文編號：1297796