Al襯底取向與ZnO薄膜織構(gòu)的關(guān)系
本文關(guān)鍵詞:Al襯底取向與ZnO薄膜織構(gòu)的關(guān)系
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【摘要】:以發(fā)生了二次再結(jié)晶的高純Al為襯底材料,采用射頻磁控濺射法制備了ZnO薄膜。研究了濺射工藝及Al襯底取向?qū)nO薄膜的影響,分析了Al襯底取向與ZnO薄膜織構(gòu)的關(guān)系。結(jié)果顯示,當(dāng)濺射工藝恰當(dāng)時(shí),高純Al襯底上可以制備出晶態(tài)ZnO薄膜,但Al襯底的取向?qū)nO薄膜的結(jié)晶性具有更大的影響。Al襯底的軋面上主要為{100}面織構(gòu),沉積的ZnO薄膜主要是{0002}面織構(gòu)和少量的{112—0}面織構(gòu)組分。
【作者單位】: 武漢科技大學(xué)省部共建耐火材料與冶金國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】: 鋁襯底 ZnO薄膜 織構(gòu)
【基金】:湖北省自然科學(xué)基金(2014CFB798)
【分類號】:O484.1
【正文快照】: (Received 9 January 2015,accepted 19 March 2015)1引言作為第三代半導(dǎo)體光電材料的杰出代表,Zn O薄膜一直是近些年來的研究熱點(diǎn)。Zn O薄膜的應(yīng)用主要集中在兩個(gè)方面:一是利用其光電性能的短波長發(fā)光器件和太陽能電池等方面的應(yīng)用[1];另一種是利用其壓電性能的聲表面波和體
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本文編號:998114
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